三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績！據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士（SK Hynix）和美光（Micron）遠遠落后，技術(shù)差距約為一年半。

BusinessKorea 31 日報導(dǎo)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說，明年三星 10 納米等級 DRAM，將占整體 DRAM 生產(chǎn)的一半。

DRAMExchange 估計，當前三星 DRAM 生產(chǎn)以 20 納米為主、占 82%，18 納米僅占 12%。

三星制程微縮進展比原先預(yù)期更為快速，內(nèi)存部門主管 Chung Eun-seung 2015 年初暗示，2020 年將量產(chǎn) 10 納米等級 DRAM，如今看來，應(yīng)該 2019 年初就能達成目標。

三星是 DRAM 霸主，IHS 數(shù)據(jù)顯示，今年第二季三星的 DRAM 市占率高達 46.6%。對手 SK 海力士和美光的 DRAM 制程仍停留在 20 納米等級，要到明年第二季之后才會開始生產(chǎn) 18 納米 DRAM，技術(shù)差距約在一年到一年半之間。