半導體嵌入式非易失性存儲器（eNVM）知識產權（IP）產品提供商Kilopass Technology近日在北京宣布，推出垂直分層晶閘管（Vertical Layered Thyristor, VLT）新技術。

Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng介紹，VLT技術是一項真正具有顛覆性的技術，其能幫助廠商迅速為市場提供與JEDEC標準完全兼容的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）產品，這些產品在功耗和成本上將具有顯著優(yōu)勢，同時也消除了現有DRAM制造流程中構建電容的困擾。

據悉，KilopassVLT存儲單元早在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。目前，Kilopass已可以向數量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術，用于20nm到31nm工藝技術節(jié)點。Kilopass已使用其突破性的TCAD模擬器，在所有的半導體制造工藝細節(jié)上對這兩個節(jié)點進行了詳盡的模擬，而新一代10nm技術的驗證有望在2017年完成。

2014年6月，國務院頒布了《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》，要實現集成電路行業(yè)產值從2015年的3500億元到2020年約8700億元的增長目標，DRAM產業(yè)的增長顯得至關重要。然而，目前全球DRAM市場已經十分成熟，且由三星、海力士和美光三家企業(yè)共同占有超過90%的市場份額，后進入者面臨極高的技術和專利門檻。

現有DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元，它不僅帶來了特有的制造工藝挑戰(zhàn)，還被大量專利所保護。為了進入DRAM市場，后發(fā)的中國廠商必須利用創(chuàng)新的替代方案，以推動競爭升級，爭取實現差異化發(fā)展。VLT技術則代表了這種可能性。Charlie Cheng稱，VLT避開了傳統(tǒng)DRAM制造工藝中最大的挑戰(zhàn)，即溝電容的制造，從而規(guī)避了相關的專利沖突，這一點具有很重要的戰(zhàn)略意義。

Kilopass的VLT通過垂直方式實現晶閘管架構，從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結構加上所需的物理器件，構造出制造工藝簡單的交叉點內存，這將帶來一項與DDR標準兼容，并且比當前頂尖的20納米DRAM制造成本低45%的新技術。此外，因為VLT不需要復雜且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低為1/10，可降低到50fA/bit以下，且仍能將性能提高15%。

據悉，VLT存儲單元的運行和器件測試已于2015年完成，測試結果與器件仿真系統(tǒng)TCAD具有優(yōu)異的關聯(lián)性。一塊完整的內存測試芯片已于5月成功流片，早期芯片測試正在進行當中。