據(jù)追蹤內(nèi)存芯片價格的研究公司DRAMeXchange稱，因為NAND的產(chǎn)量增加以滿足需求，2018年NAND閃存市場預(yù)計將進入更好的平衡狀態(tài)。

自2016年第三季度以來，NAND市場已經(jīng)連續(xù)6個季度供不應(yīng)求。據(jù)DRAMeXchange稱，因為強勁的服務(wù)器市場和智能手機內(nèi)存量的持續(xù)增加，2017年市場對NAND的需求將持續(xù)增長。與此同時，由于NAND閃存制造商技術(shù)向3D NAND等技術(shù)轉(zhuǎn)移，使得供應(yīng)受到限制。

不過，DRAMeXchange預(yù)測2018年NAND閃存增長將達到43%，預(yù)計需求增長大約是38%。

據(jù)DRAMeXchange高級研究經(jīng)理Alan Chen表示，除了市場領(lǐng)先者三星電子之外的NAND供應(yīng)商都在經(jīng)歷著因為轉(zhuǎn)向3D NAND制程工藝而導(dǎo)致的生產(chǎn)能力下降。Chan在聲明中稱：“與此同時，提供商也無法有效利用他們已經(jīng)得到的額外生產(chǎn)能力。”

但是Chen預(yù)測，明年提供商們將在64層和72層NAND堆棧技術(shù)上達到成熟。他預(yù)測，由于智能手機和PC等消費電子產(chǎn)品的生產(chǎn)在第四季度呈現(xiàn)季度性急劇下滑，因此閃存市場將在2018年第一季度出現(xiàn)短暫的供過于求。

DRAMeXchange預(yù)測，明年全球NAND產(chǎn)量中3D NAND將占到70%的份額。

三星自從最近的第三季度以來就一直在大規(guī)模生產(chǎn)64層3D NAND。DRAMeXchange預(yù)測，到第四季度3D NAND將占到三星NAND產(chǎn)量中的一半還多，到明年這一比例將達到60%-70%。

據(jù)DRAMeXchange稱，SK Hynix現(xiàn)在采用主流的48層NAND堆棧技術(shù)，但是明年72層堆棧將在其產(chǎn)量中占據(jù)更大的份額。SK Hynix預(yù)測，今年第四季度SK Hynix的NAND閃存產(chǎn)量中3D NAND將占比20%-30%，到2018年第三季度這個比例將增加到40%-50%。

東芝和其合作伙伴西部數(shù)據(jù)在今年上半年主要生產(chǎn)了48層3D NAND。雙方的合資公司NAND總產(chǎn)量中有大約30%是3D NAND，到2018年這個比例預(yù)計將超過50%。