DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價，是2017年的關(guān)鍵詞。無論是PC內(nèi)存，還是手機(jī)內(nèi)存，價格都如脫韁野馬一般剎不住車。有人會問，儲存器一路上漲到底是什么原因？

今日，業(yè)內(nèi)分析師、知名數(shù)碼博主@戈藍(lán)V 給出了分析：由于供不應(yīng)求導(dǎo)致了價格的不斷上漲。

他引用了@帝都一只唐伯虎 的分析結(jié)論：存儲器產(chǎn)業(yè)和其他周期性產(chǎn)業(yè)一樣，隨著需求和產(chǎn)能的相互作用，會呈現(xiàn) “景氣——衰退——景氣” 的規(guī)律性循環(huán)（下圖）。2016年中期，這個景氣周期再次到來，而且來得比想象的更加兇猛(藍(lán)線代表市場規(guī)模的變化)。

隨著互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)、智能手機(jī)、云計算、云存儲、人工智能行業(yè)的旺盛需求，原有的存儲器市場根本無法滿足這么大的需求。

2016年中期，DRAM的價格開始逆襲。到2017年，DRAM繼續(xù)處于短缺狀態(tài)，隨著三星半導(dǎo)體/SK海力士/鎂光的擴(kuò)產(chǎn)，將在2018年上半年到達(dá)短暫的供求平衡。隨著AI行業(yè)在明年下半年的爆發(fā)，DRAM可能又將進(jìn)入短缺模式。

而NAND閃存，包括大家熟悉的eMMC、ufs2.0/2.1/3.0、SSD，有三大需求方：SVR SSD、智能手機(jī)(現(xiàn)在起步都是64GB)/PC SSD，手機(jī)需求僅排第二。

需求不斷擴(kuò)大，但存儲大廠的產(chǎn)能增加并不順利，從2D NAND到3D NAND技術(shù)升級的同時，良率提升很難，而2D產(chǎn)線不斷減少，二廠東芝遇上核電們，揮淚大甩賣半導(dǎo)體業(yè)務(wù)……

好消息是，預(yù)計到2018年，隨著3D NAND產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續(xù)投產(chǎn)，存儲器供應(yīng)緊張局面有望緩解。