據(jù)說Forward Insights預(yù)計，未來幾年服務(wù)器越來越多地采用固態(tài)硬盤來提升性能，但從明年起其中的SATA固態(tài)硬盤數(shù)量即將步入下行通道。那么新的固態(tài)硬盤該如何選呢？

東芝在1987年發(fā)明NAND閃存。多年來閃存通過縮小制造工藝和工藝技術(shù)節(jié)點來增加容量，這一技術(shù)路線最終遇到了各種挑戰(zhàn)。直到2007年，東芝在世界上首個宣布三維（3D）閃存堆疊技術(shù)，通過進一步開發(fā)，推出3D閃存：BiCS Flash。

BiCS 3D閃存通過垂直堆疊提升了存儲容量與存儲密度，在滿足企業(yè)對數(shù)據(jù)存儲容量需求的同時，提供快速編程速度和更高的可靠性。

在企業(yè)級領(lǐng)域，SAS接口固態(tài)硬盤正取代SATA成為新的性價比甜點，而NVMe技術(shù)則被廣泛應(yīng)用于高性能數(shù)據(jù)中心。下圖為SAS接口的東芝RM5企業(yè)級固態(tài)硬盤和U.2接口NVMe協(xié)議的CD5企業(yè)級固態(tài)硬盤。

同樣的BiCS三維閃存技術(shù)也被應(yīng)用到適合個人家庭用戶使用的消費級產(chǎn)品當(dāng)中，配合先進的NVMe協(xié)議以實現(xiàn)更高的存取效能。

東芝RC100創(chuàng)新性的采用了主控與閃存多芯片融合封裝技術(shù)，在單個芯片中提供高達480GB的存儲容量，而自身僅需M.2 2242的迷你體積，BiCS三維閃存在其中發(fā)揮了重要的作用。

M.2 NVMe不僅釋放了SATA 6Gbps接口的順序讀寫帶寬瓶頸，同時還將SATA接口下AHCI協(xié)議的延遲降低了一個維度。

除了理論帶寬與延遲上的差異之外，SATA和NVMe還有本質(zhì)上的差別。傳統(tǒng)的SATA實際采用半雙工的工作模式，不能在同時進行讀取和寫入。在多任務(wù)環(huán)境下容易產(chǎn)生沖突而降低效能表現(xiàn)。

SAS以及M.2 NVMe接口則具備全雙工通信能力，應(yīng)付實際使用環(huán)境下同時出現(xiàn)的讀取和寫入操作更加輕松。

在BiCS 3D閃存、NVMe協(xié)議、HMB主機內(nèi)存加速等諸多先進特性的加持下，東芝RC100能夠提供遠比SATA固態(tài)硬盤更強的性能。而作為一款普及型NVMe固態(tài)硬盤，RC100還提供具有吸引力的價格和閃存原廠保修服務(wù)，成為后SATA時代家用電腦的理想升級選擇。