2012年中出爐 DDR4規(guī)范部分細(xì)節(jié)公布

今年不管是閃存還是硬盤內(nèi)存的發(fā)展速度都更加快速，各產(chǎn)品線產(chǎn)品容量、速度不斷突破，各品牌都推出了新品，下面就讓我們來一起關(guān)注一下它們的消息。

JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC Solid State Technology Association)今天正式公布了下一代DDR4內(nèi)存的一些規(guī)范，相對DDR3內(nèi)存，性能得到大幅提升，功耗也得到了顯著下降，據(jù)悉新的DDR4規(guī)范有望在2012年的第二季度正式推出。

DDR4內(nèi)存將提供一系列創(chuàng)新特性，可帶來更快的運(yùn)行速度和更廣泛的應(yīng)用范圍，包括服務(wù)器、筆記本、臺(tái)式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等。為了簡化新標(biāo)準(zhǔn)的移植和部署，DDR4內(nèi)存頻率、電壓和架構(gòu)都將被重新定義。

DDR4內(nèi)存的電壓將設(shè)定在僅僅1.2V，并在未來進(jìn)一步降低電壓，通過提高I/O電壓的穩(wěn)定保持內(nèi)存的新鮮。

DDR4內(nèi)存的默認(rèn)起始數(shù)據(jù)傳輸率將達(dá)到1.6Gbps，最高會(huì)達(dá)到3.2Gbps。而1.6GT/s是目前DDR3內(nèi)存的極限，而在未來DDR4將可能提供更高的性能。

中的性能改進(jìn)還包括：DQ總線偽開漏接口、2667MHz及更高數(shù)據(jù)率的低速檔模式、bank分組架構(gòu)、內(nèi)部生成VreDQ電壓、訓(xùn)練模式改進(jìn)。

DDR4其它正在開發(fā)中的特性：

－ 提供3種數(shù)據(jù)帶寬：x4、x8、x16

－ 新的JEDEC POD12 DDR4接口標(biāo)準(zhǔn)(1.2V)

－ 時(shí)鐘與閘門的差分信號(hào)

－ 新的終端機(jī)制：DQ總線負(fù)責(zé)控制VDDQ終端，即使VDD電壓衰減也能保持穩(wěn)定。

－ 常規(guī)和動(dòng)態(tài)ODT：ODT協(xié)議的改進(jìn)和新的停放模式(Park Mode)可以實(shí)現(xiàn)常規(guī)終端和動(dòng)態(tài)寫入終端，而無需驚動(dòng)ODT針腳。

－ 突發(fā)長度8，突發(fā)突變4。

－ 數(shù)據(jù)偽裝

－ DBI：幫助降低功耗、改進(jìn)數(shù)據(jù)型號(hào)完整性，通知DRAM應(yīng)該保存真正的還是倒置的數(shù)據(jù)。

－ 新的數(shù)據(jù)總線CRC：支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸?shù)腻e(cuò)誤校驗(yàn)功能，尤其有利于寫入操作和非ECC內(nèi)存應(yīng)用。

－ 新的指令/數(shù)據(jù)總線CA對等：一個(gè)新的低成本防范，用于指令和數(shù)據(jù)沿鏈接傳輸期間所有操作完整性的檢驗(yàn)。

－ 支持DLL關(guān)閉模式

原生來襲 NEC將下調(diào)USB 3.0芯片價(jià)格

作為第一家USB 3.0解決方案，NEC D720201芯片一直是PC和筆記本的USB 3.0標(biāo)配，不過隨著臺(tái)系USB 3.0主控的相繼發(fā)力，這一局面才有所改變，為了在競爭中取得優(yōu)勢，NEC決定從明年一季度下調(diào)旗下USB 3.0主控的價(jià)格。

繼不久前VIA USB 3.0控制器通過了USB-IF認(rèn)證后，至此臺(tái)灣三大USB 3.0控制器均通過了USB-IF的認(rèn)證，回收1年前，主板和筆記本都無一例外的搭載了NEC的USB 3.0主控芯片，而現(xiàn)在市售主板已經(jīng)很難看到NEC的主控了，不過筆記本市場主要還是由NEC把手，這主要由于目前NEC的USB 3.0主控芯片成本大幅高于臺(tái)系廠商所致。

據(jù)悉NEC旗下USB 3.0主控目前依然維持在2.2-2.5美元的高價(jià)，而臺(tái)系USB 3.0控制芯片都低于2美元。按照NEC的計(jì)劃，到2012年NEC的USB 3.0主控將被調(diào)低至1.20美元。

當(dāng)然與臺(tái)系廠商競爭是一個(gè)重要原因，不過主要的原因在于Intel將在一季度末發(fā)布的7系列主流芯片組將集成USB 3.0控制器，數(shù)量多達(dá)4個(gè)，可以滿足絕大多數(shù)主板的需求，另外AMD早在今年六月份就發(fā)布了整合USB 3.0控制器的A75芯片組主板，不過由于APU遲遲未能到貨，產(chǎn)品未能全面普及。

最大32GB！OWC推出蘋果專用內(nèi)存套裝

雖然蘋果為旗下MacBook Pro或Mac Mini都配備了足夠多的內(nèi)存，不過對于一些特殊的用戶內(nèi)存還是無法滿足其要求，為了更好的滿足這些用戶的需求，存儲(chǔ)廠商OWC專門推出了新的MacBook Pro/Mac Mini兼容內(nèi)存，產(chǎn)品最大容量高達(dá)32GB。

OWC一直是蘋果系統(tǒng)的內(nèi)存供應(yīng)商，所以此舉并沒有什么驚訝的，規(guī)格方面所有套裝均為DDR3 1333MHz，內(nèi)存時(shí)序?yàn)?-9-9-24，采用了低噪音的八層PCB設(shè)計(jì)。其中最大容量為32GB套裝，由四根8GB內(nèi)存組成，產(chǎn)品售價(jià)高達(dá)1848美元，當(dāng)然不是每個(gè)用戶都能夠承受的。

面向主流用戶的8GB套轉(zhuǎn)，采用了2根4GB模組，相對于工廠預(yù)裝要便宜70%，用戶只需72美元就可以購買到。

接下來一款套轉(zhuǎn)比較特殊，容量為12GB，由1個(gè)4GB模組和1個(gè)8GB模組組成，售價(jià)為500美元。

另外OWC還提供了16GB（2x8GB）和24GB（2x4GB+2x8GB）套轉(zhuǎn)，產(chǎn)品售價(jià)分別為929美元和1000美元。

云存儲(chǔ)專用！帝盟發(fā)布新款RDIMM內(nèi)存

隨著云儲(chǔ)存競爭的日益加劇，各家廠商紛紛瞄準(zhǔn)這一機(jī)遇，推出相關(guān)配套的產(chǎn)品，而內(nèi)存廠商帝盟今天面向云存儲(chǔ)發(fā)布了一款云存儲(chǔ)專用的RDIMM內(nèi)存，相對Unbuffered內(nèi)存模組產(chǎn)品可以提供更高的容量。

據(jù)悉帝盟新款RDIMM（registered DIMM）內(nèi)存提供4GB、8GB和16GB三種版本，4GB和8GB版本頻率為1333MHz，而16GB版本為1066MHz，產(chǎn)品默認(rèn)電壓均為1.5V。

內(nèi)存時(shí)序方面，依賴于內(nèi)存的頻率，在DDR3 1066時(shí)，時(shí)序?yàn)?-7-7-21，而在DDR3 1333時(shí)，內(nèi)存時(shí)序?yàn)?-9-9-24。另外產(chǎn)品兼容最新的服務(wù)器主板，包括Intel的5500/5520以及AMD的SR5670/5690。

另外為了實(shí)現(xiàn)更高的16GB容量內(nèi)存采用了雙面雙層設(shè)計(jì)

30nm顆粒 三星新款單條32GB DDR3內(nèi)存

在今年二月份的時(shí)候三星就已經(jīng)量產(chǎn)了30nm DRAM顆粒，最后發(fā)布了全球首款單條32GB內(nèi)存，今天三星又發(fā)布了一款新的單條32GB DDR3內(nèi)存，同樣是采用30nm DRAM顆粒，不過采用了全新的3D TSV(直通硅晶穿孔)封裝技術(shù)，產(chǎn)品相比普通30nm DRAM內(nèi)存功耗低30%。

三星新款的32GB RDIMM（Registered DIMM）內(nèi)存默認(rèn)運(yùn)行頻率為DDR3-1333MHz，借助3D TSV封裝技術(shù)，產(chǎn)品相對普通30nm的LRDIMM產(chǎn)品功耗平均低約30%，功率只有4.5W，三星表示新的32GB RDIMM是企業(yè)服務(wù)器用內(nèi)存產(chǎn)品中功耗最低的產(chǎn)品。

TSV封裝可以使存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)多層堆疊，相對單層容量可實(shí)現(xiàn)成倍提高，內(nèi)部連接路徑更短，芯片間的傳輸速度更快、噪聲小、性能更好與單層封裝技術(shù)的產(chǎn)品相當(dāng)。三星旗下的高密度TSV封裝RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品目前已進(jìn)入試產(chǎn)階段，不久后即可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

Addonics出5端口eSATA/USB 3.0擴(kuò)展卡

存儲(chǔ)設(shè)備解決方案提供商Addonics Technologies近日發(fā)布了一款5-port HPM-XU的eSATA/USB 3.0擴(kuò)展卡，它可以把5個(gè)SATA設(shè)備合并成為到一個(gè)USB 3.0或者eSATA接口上面去，此外設(shè)備還可以組成RAID磁盤陣列，最高讀取速度達(dá)240MB/s，支持SATA 6Gbps，支持熱插拔和NCQ。

Addonics 5-port HPM-XU的RAID模式可以在跳線上面切換，驅(qū)動(dòng)器和擴(kuò)展卡簡單的運(yùn)行狀態(tài)可通過擴(kuò)展卡板載接口連接主板/外置LED信號(hào)或使用自帶Windows軟件監(jiān)控。硬盤發(fā)生故障或RAID模式出錯(cuò)時(shí)，擴(kuò)展卡會(huì)自動(dòng)發(fā)出蜂鳴聲報(bào)警，同時(shí)向預(yù)先設(shè)定的SMTP帳戶發(fā)送郵件。另外產(chǎn)品還可以連接SATA接口的光驅(qū)。

Addonics 5-Port HPM-XU的售價(jià)為99美元，同時(shí)Addonics還發(fā)布了一款四盤位的外置硬盤盒RAID Tower Mini來搭配它，售價(jià)為245美元。產(chǎn)品支持Windows XP/Vista/7及服務(wù)器版本，Mac OS X/OS X 10.4.X及以上版本，Linux kernel 2.4及以上版本。

帶寬翻3倍 下代SATA Express標(biāo)準(zhǔn)醞釀

面對SSD速度的飆升，SATA-IO(Serial ATA International Organization)正在規(guī)劃下一代的SATA傳輸標(biāo)準(zhǔn)，以滿足市場的需求，新的標(biāo)準(zhǔn)速度可達(dá)16Gb/s，幾乎是SATA 6Gbps的3倍。

要達(dá)到最高的16Gbps帶寬，SATA Express（SATA + PCI Express = SATA Express）標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)如其名稱所描述的，把SATA軟件架構(gòu)和PCI-Express高速接口結(jié)合在一起。SATA-IO表示SATA Express標(biāo)準(zhǔn)將會(huì)帶來新一代更快的存儲(chǔ)裝置和對應(yīng)的主板接口，并且還能兼容現(xiàn)有的SATA設(shè)備。

SATA-IO主席Mladen Luksic稱，得益于PCI-Express 3.0，SSD和混合硬盤高帶寬瓶頸將不復(fù)存在，標(biāo)準(zhǔn)的具體細(xì)節(jié)將在年內(nèi)制定完成。

SATA-IO同時(shí)表示除SATA Express外，還有針對集成在主板上的嵌入式單芯片SSD存儲(chǔ)解決方案的SATA uSSD標(biāo)準(zhǔn)，面向平板電腦等移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。

性能提升！東芝發(fā)2.5寸1TB筆記本硬盤

三星電子、西部數(shù)據(jù)之后，東芝今天也發(fā)布了厚度為標(biāo)準(zhǔn)9.5毫米的1TB容量筆記本硬盤，編號(hào)為“MQ01ABD100”。

這塊2.5寸硬盤的尺寸為標(biāo)準(zhǔn)的100.0×69.85×9.5毫米，重量112克，同樣也是雙碟裝，單碟容量500GB，存儲(chǔ)密度為744.1Gb每平方英寸，相比上代含餐品增加了37%。

該硬盤接口SATA 3Gbps，轉(zhuǎn)速5400RPM，緩存8MB，平均尋道時(shí)間12ms，內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率1288.6Mbps(161MB/s)，噪音方面待機(jī)23dBA、尋道24dBA，另外待機(jī)功耗0.55W。

除了1TB，MQ01ABD系列硬盤還有750GB、500GB、320GB、250GB四種容量，也都是500GB單碟設(shè)計(jì)，接口、轉(zhuǎn)速、緩存、傳輸率等規(guī)格相同，重量最低102克，噪音最低17/19dBA。MQ01ABD系列硬盤將于八月中旬開始量產(chǎn)。