西數(shù)旗下日立環(huán)球存儲的研發(fā)實驗室今天宣布，通過將自組裝分子(self-assembling molecules)、納米壓印(nanoimprinting)兩種技術(shù)的融合。

他們成功創(chuàng)造了大面積的高密度存儲介質(zhì)，其中磁島(magnetic islands)的寬度只有區(qū)區(qū)10nm(一百億分之一米)。

這種寬度只相當于大約50個分子并排，或者人類頭發(fā)絲的十萬分之一，而且日立獲得了大約10萬個磁軌，已經(jīng)能夠滿足生產(chǎn)硬盤的需要。

日立表示，他們獲得的10nm晶格密度是現(xiàn)在硬盤技術(shù)的兩倍，實驗室測試也展現(xiàn)了出色的讀寫速度和數(shù)據(jù)保存能力。擴展到整個硬盤之后，納米壓印技術(shù)有望得到超過一萬億個磁島。

日立宣稱，這一成就將對納米級制造產(chǎn)生深遠的影響，可以大大降低晶格介質(zhì)(bit-patterned media)的成本，從而在未來數(shù)年內(nèi)大幅度提高機械硬盤的存儲密度。

下圖就是日立通過納米技術(shù)得到的高密度磁島，其中每個白點都能存儲一個比特(bit)的信息，而每平方英寸內(nèi)有1.2萬億個白點，相當于幾乎1120Gb，而現(xiàn)在單碟1TB硬盤的最高存儲密度也才每平方英寸625Gb。如此一來，單碟2TB將不再是夢。