英研發(fā)新型存儲(chǔ)設(shè)備 比閃存存取速度快百倍
英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備。
電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料在外加電壓時(shí)電阻會(huì)發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個(gè)電阻值。研究人員說(shuō)，在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)出的存儲(chǔ)設(shè)備能耗只有現(xiàn)有閃存的約千分之一，而其存取速度是閃存的一百倍以上。
以前開(kāi)發(fā)出的這種存儲(chǔ)設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。研究人員日前發(fā)現(xiàn)可用硅的氧化物制作一種新的憶阻材料，相應(yīng)存儲(chǔ)設(shè)備可在常規(guī)環(huán)境下運(yùn)行，因此應(yīng)用價(jià)值大大提高。
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