7月16日，合肥長鑫發(fā)布首個中國自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片，并計劃將于2018年年底推出工程樣品，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。

同時，從關(guān)鍵事件節(jié)點來看，兆易創(chuàng)新原董事長朱一明，宣布辭去兆易創(chuàng)新CEO，從原王寧國手上正式接任合肥長鑫存儲及睿力CEO。

此人事變動似乎也宣告，合肥長鑫存儲及睿力從王寧國核心團隊為主導的建廠草創(chuàng)期，進入以設計研發(fā)量產(chǎn)為主導，邁入下一個階段。

從現(xiàn)有的國內(nèi)存儲器芯片生產(chǎn)企業(yè)來看，DRAM基地主要是合肥長鑫，合肥長鑫現(xiàn)在的合作方是兆易創(chuàng)新，2017年10月份兆易創(chuàng)新宣布斥資180億元進軍DRAM市場，與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股有限公司合作，目標是研發(fā)19納米工藝的DRAM內(nèi)存，預計在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于10%。這一時間節(jié)點值得重點關(guān)注，研究君也會保持跟蹤。

合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元(495億人民幣)，項目建設三期工程，目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠，建成后月產(chǎn)能為12.5萬片晶圓，有媒體報道這個產(chǎn)能將占到全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)能的8%。

根據(jù)計劃，合肥長鑫將于2018年年底推出8Gb LPDDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17納米技術(shù)的研發(fā)。

二、存儲芯片乃半導體咽喉

存儲設備分為磁盤和存儲芯片(Memory)。磁盤，是指利用磁能方式存儲信息，存儲過程中需要磁性盤片的機械運動，日常生活中非常常見的電腦硬盤、移動硬盤就屬于此類;存儲芯片(Memory)則是以半導體為材料的存儲介質(zhì)，我們平日常用的U 盤、PC內(nèi)存、SSD(固態(tài)硬盤)等是Memory 的范圍。

在分類上，以斷電后存儲數(shù)據(jù)是否丟失為標準，存儲芯片(Memory)可分2類：一類是非易失性存儲器(Non-Volatile Memory)，這一類Memory 斷電后數(shù)據(jù)能夠存儲，主要以NAND Flash為代表，常見于U 盤和SSD(固態(tài)硬盤);另一類是易失性存儲器(VolatileMemory)，這一類Memory 斷電后數(shù)據(jù)不能儲存，主要以DRAM為代表， 常用于電腦、手機內(nèi)存。

除了NAND Flash 和DRAM，Memory 還包含其他門類，例如Nor Flash、SRAM等。但從產(chǎn)值構(gòu)成來分析，NAND Flash 和DRAM 是構(gòu)成Memory 產(chǎn)業(yè)的核心構(gòu)成，分別占據(jù)Memory 產(chǎn)值的37%和57%。

DRAM因為其應用的廣泛性和重要性，是電子產(chǎn)品必不可少的一種重要半導體元件。也是原器件領(lǐng)域的一個重要組成部分。根據(jù)IHS Markit的數(shù)據(jù)，2017年全球動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的市場規(guī)模為722億美元，較2016年的415億美元增長了74%。更重要的一點的是，從2016年開始，DRAM的價格多次提高，2017年的價格漲幅更是高達40%。讓一些終端廠商，尤其是國內(nèi)的廠商叫苦不堪。

DRAM全球高端壟斷、國產(chǎn)DRAM是空白!在2017年的DRAM市場，三星電子以44.5%的市場份額穩(wěn)居市場第一，SK海力士則以27.9%的市場份額緊追其后。美光科技(22.9%)、南亞科技(2.2%)、華邦電子(0.8%)分列其后。這幾家?guī)缀跄依巳蛩械腄RAM供應。

市場規(guī)模較小的NOR Flash，格局稍顯分散，美光(占比25%)、Cypress(收購了飛梭半導體)、旺宏、三星、華邦、兆易創(chuàng)新、宜揚科技等7家占據(jù)了90%以上份額。其中，兆易創(chuàng)新(603986)目前國內(nèi)稀缺，全球市占率在10%左右。

存儲器芯片具有廣闊的應用場景和重要的戰(zhàn)略地位。隨著各種應用程序的越來越復雜，各種新興場景的不斷落地應用，例如：人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、5G等，需要存儲的數(shù)據(jù)也越來越龐大。

目前，信息數(shù)據(jù)已經(jīng)不僅僅是數(shù)字，而是一種資產(chǎn)。DRAM需求在未來幾年會迅速增長。國內(nèi)作為主要的制造大國，對其需求有增無減。多方面的因素綜合，迫使中國去打造自主可控的DRAM企業(yè)。

據(jù)統(tǒng)計，中國消耗了全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進口存儲器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。

國內(nèi)存儲芯片(Memory)的戰(zhàn)略計劃，第一步是自建大規(guī)模的NAND Flash產(chǎn)能，尤其是發(fā)力新型3D NAND閃存技術(shù)，第二步逐漸進軍技術(shù)難度相對較大、壟斷更為嚴重的DRAM市場。這次投片的合肥長鑫將扮演國產(chǎn)DRAM的重要角色!

三、存儲芯片相關(guān)個股分析

存儲芯片(Memory )的上下游，其實就是整個大IC(集成電路)的產(chǎn)業(yè)鏈條：設計、制造、封測。因此，對應的也有兩種生產(chǎn)模式：IDM模式、fabless模式。

DRAM巨頭海力士、美光等是IDM模式，設計和制造全自家包辦，兆易創(chuàng)新是fabless模式。A股涉及存儲芯片的公司包括：兆易創(chuàng)新、太極實業(yè)、北方華創(chuàng)、長川科技等。

1.DRAM

存儲特征：斷電后數(shù)據(jù)不能存儲。

應用領(lǐng)域：主要是PC、手機、服務器的內(nèi)存，分別占比30%、35%、15%。物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的DRAM的應用也在滲透，占15%左右。

量價特征：目前主要是供給和需求決定DRAM的價格走勢，而非技術(shù)升級。DRAM技術(shù)更新不明顯，DDR3作為主流技術(shù)已經(jīng)存續(xù)超過5年，技術(shù)提升帶來的成本下降，沒有NAND Flash那么明顯。

市場空間與技術(shù)趨勢：1)2015年全球市場約410億美元;2)Trend Force預計2015年中國市場消耗DRAM高達120億美元，占全球比重23.2%，預計導2018年，中國DRAM市場容量將達到210美元規(guī)模，占全球比重達到29%;

3)存儲芯片(尤其是DRAM)持續(xù)緊缺，隨著PC操作系統(tǒng)由32位轉(zhuǎn)向64位，對于內(nèi)存的需求大大增加，往往要從4GB升級至8GB乃至16GB，此外手機需求也是最大利好。

競爭格局：1)3家壟斷：三星、SK海力士、美光，合計占據(jù)全球95%以上份額，三家市占率約4：3：2。

巨頭技術(shù)水平：三星已經(jīng)大規(guī)模采用20nm制程，毛利率也達到40%;SK海力士采用25nm制程，毛利率也達到了40%;美光制程水平較靠后，以30nm為主，毛利率為25%左右。

2)國內(nèi)企業(yè)在DRAM領(lǐng)域的市占率幾乎為0。

國內(nèi)企業(yè)(含A股)

1)太極實業(yè)：A股最純正的Memory封測標的，2009年與DRAM巨頭海力士合資成立海太半導體，專門承接DRAM芯片封測。

2)深科技：2015年收購金士頓(KINSTON)核心封測廠商沛頓科技100%股權(quán);2016年4月導入DDR4項目，截至今年6月底，出貨量已經(jīng)突破150萬條。

3)晶方科技：2015年2月收購智端達科技，后者是原DRAM巨頭奇夢達科技位于蘇州工業(yè)園的封裝測試和模組工廠。

4)紫光國芯：2015年8月收購西安華芯51%股權(quán)，該公司申請DRAM專利為國內(nèi)之最，但目前無實質(zhì)產(chǎn)能。

2.NAND Flash

存儲特征：斷電后數(shù)據(jù)能夠存儲，可大容量存儲。

應用領(lǐng)域：閃存卡、U盤、SSD(固態(tài)硬盤)

量價特征：除供需外，3D NAND技術(shù)采用更為先進制程和架構(gòu)設計，單位材料可以存儲更多信息，也可有效減少成本，導致NAND Flash價格走低。

市場空間與技術(shù)趨勢：1)2015年全球市場約300億美元;2)SSD(固態(tài)硬盤)替代傳統(tǒng)機械硬盤(HHD)的趨勢不可阻擋，尤其是3D NAND閃存技術(shù)將提振SSD(固態(tài)硬盤)需求，在PC端、企業(yè)服務器領(lǐng)域滲透率提高將導致SSD出貨量大增。NAND Flash已經(jīng)取代手機基帶/AP 和CPU，成為半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動和產(chǎn)值的最大領(lǐng)域。

競爭格局：1)4分天下：三星市占率連續(xù)保持在35%上下;東芝與閃迪(SanDisk)合占30%左右;再就是美光、海力士。以上四家市占率達到令人咋舌的99%。

2)中金公司預計，紫光國芯在NAND市場份額將占中國總需求的50%左右，即300億人民幣。

國內(nèi)企業(yè)(含A股)

1)紫光國芯：大股東紫光集團2015年控股西部數(shù)據(jù)，而西部數(shù)據(jù)又以約190億美元收購閃迪(SanDisk);大額定增中，600億元擬投入存儲芯片工廠，預計可新增12萬片/月產(chǎn)能，將貢獻營業(yè)收入354億元，年均利潤為87.2億元，滿產(chǎn)時間在4年后。

2)武漢新芯(長江存儲)：主要產(chǎn)品為3D NAND，擬投入1600億元，存儲廠預計于2018年完工，2019年量產(chǎn)，首批產(chǎn)能為4萬片，預計到2020年形成月產(chǎn)能30萬片，到2030年每月產(chǎn)能100萬片。

3)華天科技：2015年與武漢新芯簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，將部分承接后者的Memory封測訂單。

3.NOR Flash

存儲特征：斷電后數(shù)據(jù)能夠存儲，主要用于存儲代碼。屬于小容量型。

應用領(lǐng)域：手機、USB KEY、機頂盒等的代碼閃存應用。

量價特征：下游需求

市場空間：2015年全球市場約30億美元。

競爭格局：1)空間小、格局分散，巨頭逐步退出小容量、毛利較低的NOR Flash市場;2)美光(占比25%)、Cypress(收購了飛梭半導體)、旺宏、三星、華邦、兆易創(chuàng)新、宜揚科技等7家瓜分份額。

國內(nèi)企業(yè)(含A股)

1)兆易創(chuàng)新：國內(nèi)NOR Flash絕對龍頭，目前全球市占率10%左右。

四、重點關(guān)注個股

針對此次合肥長鑫的DRAM投片，我們主要看好三只相關(guān)個股：

1.直接合作方

兆易創(chuàng)新：(1)國內(nèi)稀缺的存儲芯片龍頭，Nor flash國內(nèi)第一;(2)2017年8-9月，大股東增持，國家集成電路大(更多半導體相關(guān)個股的深度研究報告，請關(guān)注“澄泓財經(jīng)”wei 信號，回復關(guān)鍵字“半導體”，即可查看詳情。)基金入股11%;(3)入股晶圓制造龍頭中芯國際，進一步夯實戰(zhàn)略聯(lián)盟;(4)2018年3月收購思立微，打造存儲-微處理-傳感交互一體式解決方案;

(5)兆易創(chuàng)新和合肥長鑫DRAM合作非常順利!2017年10月，兆易創(chuàng)新宣布，與合肥長鑫進行19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目合作。目標在 2018 年12 月 31 日前研發(fā)成功，即實現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的芯片占整個晶圓的比例)不低于 10%。此次合肥長鑫的重要突破，也利好兆易創(chuàng)新的DRAM戰(zhàn)略!

2.存儲芯片設備廠商

1)北方華創(chuàng)：(1)北方華創(chuàng)是由七星電子和北方微電子戰(zhàn)略重組而成，是半導體設備龍頭。公司主營業(yè)務包括半導體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件四大業(yè)務;(2)中國大陸地區(qū)是全球第三大半導體設備市場，但國內(nèi)半導體設備自給率不足15%，進口替代空間巨大;

(3)公司于2018年1月完成收購美國Akrion公司，形成涵蓋應用于集成電路、先進封裝、功率器件、微機電系統(tǒng)和半導體照明等泛半導體領(lǐng)域的8-12英寸批式和單片清洗機產(chǎn)品線;(4)公司的真空裝備、鋰電裝備以及精密元器件業(yè)務齊頭并進，穩(wěn)定發(fā)展。

2)長川科技：(1)長川科技作為國產(chǎn)測試設備龍頭企業(yè)，一直致力于測試機和分選機的研發(fā)。2013年以來，公司承擔了國家科技重大02專項中兩項課題的研發(fā)工作，并獲國家產(chǎn)業(yè)基金入股7.5%，充分展現(xiàn)其核心技術(shù)優(yōu)勢。

(2)公司集成電路測試機和分選機產(chǎn)品已獲得長電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤微電子、日月光等多個一流集成電路企業(yè)的使用和認可。(3)從產(chǎn)品質(zhì)量上看，公司測試機、分選機產(chǎn)品的主要性能指標已達國內(nèi)領(lǐng)先、接近國外先進技術(shù)水平;從盈利能力上看，長川科技的毛利率和凈利率均高于國外設備巨頭。