近日，長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展，32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，成功實現(xiàn)了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業(yè)化道路邁出具有標志性意義的關鍵一步。

存儲器作為我國集成電路支柱產業(yè)，目前主要依賴進口，我國對DRAM和NAND Flash產品需求占全球消費量的比例超過20%。同時，存儲器也是半導體產業(yè)資本支出最高的領域，占整個行業(yè)的38%。

3D NAND作為一種創(chuàng)新的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層實現(xiàn)存儲密度增長，拓寬了存儲技術的發(fā)展空間，但其結構的高度復雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。目前在3D NAND領域，三星量產了48層產品，64層和90層產品正在研發(fā)中。在大數(shù)據(jù)需求快速增長的驅動下，存儲器芯片已成為電子信息領域市場份額最大的集成電路產品，潛在市場空間巨大。

為加快存儲器國產化進程，國家半導體基金對該領域的投資力度加大。去年12月由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新(600133,股吧)區(qū)正式動工建設，該項目總投資240億美元，主要生產存儲器芯片。據(jù)了解，該項目將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash Fab廠房，一期項目計劃2018年建成投產，到2020年完成整個項目，該項目總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

存儲芯片作為集成電路的三大品類之一，目前廣泛應用于內存、消費電子、智能終端和固態(tài)存儲硬盤等領域，其銷售額占整個芯片產業(yè)的比重超過25%。賽迪顧問數(shù)據(jù)顯示，2014 年我國存儲芯片市場規(guī)模達到2465.5億元，占國內集成電路市場份額的23.7%，國內存儲芯片基本依靠進口，每年進口存儲芯片的金額高達600億美元。從市場份額占比來看，截至去年第三季度，三星電子在全球DRAM存儲器領域的份額達到50.2%，SK海力士占24.8%的份額。在NAND Flash領域，三星電子的全球市場份額為36.6%，SK海力士占10.4%的份額。

在政策大力扶持和國家科技重大專項的引領下，我國存儲器產業(yè)將步入快速擴容期，并帶動半導體設備及材料產業(yè)發(fā)展。國際半導體協(xié)會（SEMI）公布的2016年和2017年全球新建晶圓廠超過19座，其中有10座建于我國。按照政策目標，我國集成電路市場規(guī)模占全球60%，但自給率僅為27%，到2020年芯片自給率要達到40%。隨著存儲器技術的不斷突破將帶動材料設備和封測產業(yè)快速增長，國產化進程有望加快。