TrendForce 旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機(jī)進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各 DRAM 產(chǎn)品價(jià)格同步上揚(yáng)，第三季移動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)值達(dá) 45.88 億美元，季成長(zhǎng)約 16.8%。

DRAMeXchange 研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果 iPhone 7 與三星 Note 7 旗艦機(jī)型發(fā)布，讓全球移動(dòng)式內(nèi)存出貨大增，縱使 Note 7 受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動(dòng)作已為第三季移動(dòng)式內(nèi)存的營(yíng)收做出貢獻(xiàn)。

以三大 DRAM 廠移動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收市占來看，三星半導(dǎo)體營(yíng)收持續(xù)擴(kuò)大到約 64.5%，SK 海力士約為 22.8%，美光半導(dǎo)體為 10.6%，三大主要 DRAM 廠的營(yíng)收占比達(dá) 97.9%，而排名第四的南亞科僅有 1.3%。

吳雅婷指出，第三季移動(dòng)式內(nèi)存占 DRAM 總營(yíng)收比率上升至 43.5%，在 Note 7 停產(chǎn)后各品牌廠紛紛搶占三星失去的市場(chǎng)，且移動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格上漲趨勢(shì)不變的情況下，預(yù)計(jì)今年第四季移動(dòng)式內(nèi)存在 DRAM 總營(yíng)收占比仍將持續(xù)擴(kuò)大。

三星仍為技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，獲利能力為三大 DRAM 廠最高

就三大 DRAM 廠競(jìng)爭(zhēng)能力分析，三星仍是移動(dòng)式內(nèi)存霸主，除 20 納米制程已進(jìn)入相當(dāng)成熟的階段，今年第四季更有 LPDDR4 16Gb mono die 正接受客戶的驗(yàn)證，其技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，如驗(yàn)證成功，2017 年的高端手機(jī)將有望搭載 8GB 內(nèi)存。此外，其 18 納米制程技術(shù)也將于明年放量，有望進(jìn)一步提升三星半導(dǎo)體部門獲利。

SK 海力士 21 納米制程良率正逐步提升，加上適逢手機(jī)傳統(tǒng)出貨旺季，其移動(dòng)式內(nèi)存的 21 納米制程的投片量也在第三季放大，SK 海力士計(jì)劃將 21 納米制程良率推至更成熟的階段，明年下半年也將導(dǎo)入 18 納米的試產(chǎn)，提高自身競(jìng)爭(zhēng)力。

美光集團(tuán)先前由于財(cái)務(wù)狀況不穩(wěn)定，在移動(dòng)式內(nèi)存采取 20／25 納米并重的策略，并以華亞科 20 納米轉(zhuǎn)進(jìn)速度最快，專注于提供蘋果陣營(yíng)的需求，而非蘋果陣營(yíng)的移動(dòng)式內(nèi)存需求交由廣島廠與臺(tái)灣美光內(nèi)存的 25 納米制程供應(yīng)比重較高。明年美光集團(tuán)也有望導(dǎo)入 18 納米制程。

臺(tái)系 DRAM 廠方面，受惠于移動(dòng)式內(nèi)存的生產(chǎn)比重提升，加上移動(dòng)式內(nèi)存漲價(jià)，南亞科在全球 DRAM 廠季營(yíng)收市占從 1.1% 提升至 1.3%。目前南亞科廠內(nèi)正進(jìn)入 20 納米制程轉(zhuǎn)換工程，該制程的移動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)能將于明年開出。

華邦電子第三季在全球 DRAM 廠的營(yíng)收市占與上季持平，約 0.8%，整體營(yíng)收在客制化產(chǎn)品與 ASIC 產(chǎn)品價(jià)格提升后小幅成長(zhǎng)，華邦電子新制程 38 納米有機(jī)會(huì)于今年少量生產(chǎn)，且將優(yōu)先利用在利基型內(nèi)存與移動(dòng)式內(nèi)存上。