近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。

盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產(chǎn)業(yè)將率先上演大陸力爭DRAM主導權(quán)戲碼。

目前大陸DRAM勢力處于戰(zhàn)國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯(lián)電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結(jié)合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。

長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統(tǒng)籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術(shù)發(fā)展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規(guī)范，若是自行研發(fā)DRAM技術(shù)必須先量產(chǎn)3D NAND，但若對外購買技術(shù)則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產(chǎn)，并獲得專利保護傘。

長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術(shù)專利授權(quán)，業(yè)界亦傳出正著手評估自建或并購現(xiàn)有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設(shè)立12寸晶圓廠，長江存儲執(zhí)行長楊士寧則表示，將以并購現(xiàn)有晶圓廠為第一考量。

近期武漢新芯12寸新廠已經(jīng)動起來，單月產(chǎn)能規(guī)劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業(yè)界預期長江存儲兩大產(chǎn)品線的生產(chǎn)基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發(fā)自制，希望搶在長江存儲之前先量產(chǎn)DRAM技術(shù)，以爭取大陸DRAM產(chǎn)業(yè)寶座。

聯(lián)電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經(jīng)動工，預計2018年進入量產(chǎn)，業(yè)界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯(lián)電在南科廠同時進行25、30nm技術(shù)研發(fā)，預計2017年底完成技術(shù)開發(fā)，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯(lián)電南科廠DRAM技術(shù)將快速轉(zhuǎn)到福建晉華量產(chǎn)。

盡管福建晉華至少要投入25nm以下制程技術(shù)，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯(lián)電采取較謹慎作法，避免一下子投入25nm技術(shù)開發(fā)面臨失敗風險，遂同時研發(fā)30nm作為備案。

大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長芯，原本合肥市政府和GigaDevice投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關(guān)存儲器IC設(shè)計，然近期業(yè)界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1000億元，同時進行DRAM研發(fā)和制造，但此一作法可能有IP侵權(quán)的風險。

目前大陸這三股DRAM勢力持續(xù)進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術(shù)專利授權(quán)及自主技術(shù)研發(fā)模式發(fā)展，希望趁著大陸DRAM主導權(quán)還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拼量產(chǎn)并陷入激戰(zhàn)。