大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開,初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產(chǎn),武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠,最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片,盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個世代,然大陸終于將全面進軍NAND Flash領(lǐng)域。
盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代,但在存儲器技術(shù)改朝換代之際,大陸直接切入新世代3D NAND技術(shù),有機會另辟一片天。大陸有鑒于過去扶植晶圓代工產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗,這次為讓存儲器產(chǎn)業(yè)落地生根,采取集中資源生產(chǎn)策略,不僅避免資源分散,并杜絕惡性競爭導致產(chǎn)能供過于求情況。 大陸過去有眾多地方政府和企業(yè)集團爭取扮演存儲器生產(chǎn)中心角色,包括合肥市政府、中芯國際及京東方等,后來由武漢新芯出線,然隨著紫光集團加入戰(zhàn)局,大陸原本以武漢新芯為主軸的存儲器發(fā)展大計,出現(xiàn)架構(gòu)性的改變。2016年紫光集團與武漢新芯合資成立長江存儲,武漢新芯成為長江存儲旗下100%持股的子公司,并對于未來存儲器生產(chǎn)達成初步分工。
長江存儲將主要負責3D NAND和DRAM生產(chǎn)制造,武漢新芯先前宣布動工的12吋新廠,其實是隸屬于長江存儲旗下,該座廠房分為三期,首期建設將于2016年底啟動興建,第二期預計2018年完成興建,第三期在2019年完成,總規(guī)劃產(chǎn)能為單月30萬片,總投資額240億美元。
長江存儲3D NAND技術(shù)主要來自于飛索(Spansion),飛索在2014年底賣給Cypress之后仍保持獨立營運,由于飛索過去與三星簽下Charge Trap技術(shù)授權(quán)合約,每年為飛索帶來豐厚的授權(quán)金,而Charge Trap正是3D NAND技術(shù)關(guān)鍵,大陸透過與飛索合作取得跨入3D NAND技術(shù)的門票。
長江存儲規(guī)劃2017年底量產(chǎn)32層堆疊3D NAND芯片,這將是大陸首顆自制的3D NAND芯片,盡管相較于三星、東芝目前已量產(chǎn)64層堆疊技術(shù),預計2017年底可進入72層或96層技術(shù),大陸3D NAND技術(shù)仍是約落后2個世代,但大陸在存儲器自制總算開始沖刺并醞釀超車。
至于武漢新芯未來將專職NOR Flash和邏輯代工業(yè)務,旗下12吋廠月產(chǎn)能約3萬片,其中有超過2萬片是生產(chǎn)NOR Flash芯片,主要客戶為飛索和北京創(chuàng)新兆易(GigaDevice)。目前武漢新芯在邏輯代工產(chǎn)能仍不大,主要客戶為已并入北京君正集成的CIS大廠豪威(OmniVision)?,F(xiàn)階段豪威CIS除了由臺積電生產(chǎn),華力微和武漢新芯分別負責前段和后段制程。
事實上,長江存儲規(guī)劃終極月產(chǎn)能30萬片,不僅生產(chǎn)3D NAND芯片,DRAM芯片亦是其中一環(huán),業(yè)界認為隨著美光解決購并華亞科一案,以及完成讓南亞科入股事宜后,下一階段美光將與紫光建立策略聯(lián)盟,雙方將針對DRAM技術(shù)及產(chǎn)能進行合作,因此,長江存儲30萬片月產(chǎn)能將包括DRAM產(chǎn)品。