SLC的固態(tài)盤在如今的市面上已經(jīng)是鳳毛麟角，MLC也越來越少，TLC開始成為市場的絕對主流。

1月15日，TheReg撰文，談到了QLC閃存的未來和3D NAND之間的關(guān)系，還是非常有趣的。

QLC顧名思義，就是4bits Cell，電信號存儲的密度更高。其實早在2009年，SanDisk（閃迪）就試圖用43nm工藝制造QLC閃存，但因為錯誤率奇高，不得不放棄。

錯誤率是Flash閃存一座不可避免的大山，通常的處理方式是主控中加入ECC校驗技術(shù)，即在數(shù)據(jù)位中插入校驗位。

說到這里你就明白了，數(shù)據(jù)位越少，出錯率必然越低，所以從存儲方式上，SLC必然是最扛用的，其次是MLC、QLC……

同時，工藝也是如此。制程越先進，ECC校驗位就要增多，糾錯難度就越高。

而閃迪之所以搞不定錯誤率這個問題是因為當時3D NAND還沒發(fā)展起來，基于43nm工藝的2D平面來做校驗，要想數(shù)據(jù)達到一定的準確率，要不容量很小，要不成品尺寸巨大。

而隨著3D NAND的成熟，TLC甚至QLC的未來突然豁然開朗起來。由于3D構(gòu)造方式的優(yōu)勢，浮柵周圍形成一圈作為支柱通道，面積增加3倍，所以30nm做出了90nm的效果，糾錯難度大大下降。

如圖所示，同樣是15nm級別，MLC閃存只需要50個ECC校驗位，而TLC則需要多達75個。

可在3D QLC閃存時代，20個ECC校驗位都綽綽有余。

Objective Analysis的專業(yè)人士Jim Handy撰文指出，所以，他說PLC閃存（5bits/Cell）是必然，因為一個最顯而易見的事實是，原來1TB QLC SSD立馬增大到1.25TB，屆時的1元1GB才會有可能。