三星電子今天宣布，開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級(jí)別的DRAM芯片。

需要注意的是，這里并不是10nm，預(yù)計(jì)是14~18nm之間。

其中，單芯片容量8Gb(1GB)。相較1x-nmm，工藝層面上，性能提升10%，功耗和封裝面積減小，能效提升15%。

同時(shí)，陣腳帶寬3600Mbps起(可以理解為DDR4-3600)，也比1x-nm時(shí)代的DDR-3200進(jìn)步。

1y-nm工藝，三星沒(méi)有引入EUV，而是通過(guò)加入高靈敏度的單元數(shù)據(jù)傳感系統(tǒng)和減少氣隙實(shí)現(xiàn)。

與此同時(shí)，三星表示，也會(huì)進(jìn)一步加快依賴(lài)DRAM技術(shù)的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形態(tài)存儲(chǔ)芯片的開(kāi)發(fā)工作。

目前，AMD/Intel已經(jīng)驗(yàn)證通過(guò)1y-nm內(nèi)存。

當(dāng)然，對(duì)于普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，此舉還意味著，1x-nm以及更老的工藝的內(nèi)存成本和最終價(jià)格將有望下探。

按照集邦科技的說(shuō)法，內(nèi)存/SSD的基礎(chǔ)產(chǎn)能從明年將得到極大的滿足，最終帶動(dòng)價(jià)格下探。

雖然從利潤(rùn)的角度看，并不一定意味著跌入白菜谷底，但起碼對(duì)裝機(jī)黨來(lái)說(shuō)，也不用很頭疼了。