Intel將于明年推出單條512GB海量?jī)?nèi)存

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作者:姜?jiǎng)P譯

2017-11-16 11:25:04

摘自:中關(guān)村在線

今日英特爾執(zhí)行副總裁、數(shù)據(jù)中心總經(jīng)理Navin Shenoy在UBS全球技術(shù)大會(huì)中宣布基于3D XPoint存儲(chǔ)技術(shù)的DIMM內(nèi)存條將在2018下半年推出。3D XPoint內(nèi)存條與傳統(tǒng)的內(nèi)存并不相同,雖然早期能夠做到與DDR4內(nèi)存兼容,但未來會(huì)獨(dú)立存在。

今日英特爾執(zhí)行副總裁、數(shù)據(jù)中心總經(jīng)理Navin Shenoy在UBS全球技術(shù)大會(huì)中宣布基于3D XPoint存儲(chǔ)技術(shù)的DIMM內(nèi)存條將在2018下半年推出。據(jù)了解,這一技術(shù)由英特爾和美光合作研發(fā),并已經(jīng)應(yīng)用在傲騰固態(tài)產(chǎn)品當(dāng)中。

不過3D XPoint內(nèi)存條與傳統(tǒng)的內(nèi)存并不相同,雖然早期能夠做到與DDR4內(nèi)存兼容,但未來會(huì)獨(dú)立存在。3D XPoint內(nèi)存條不僅能帶來更高的速度和容量,同時(shí)也能做到斷電保存,一旦未來能夠成功進(jìn)入主流服務(wù)器市場(chǎng),或許將有希望替代硬盤與傳統(tǒng)內(nèi)存,這將對(duì)服務(wù)器可維護(hù)性與效能帶來顯著提升。

不過3D XPoint內(nèi)存條與傳統(tǒng)的內(nèi)存并不相同,雖然早期能夠做到與DDR4內(nèi)存兼容,但未來會(huì)獨(dú)立存在。3D XPoint內(nèi)存條不僅能帶來更高的速度和容量,同時(shí)也能做到斷電保存,一旦未來能夠成功進(jìn)入主流服務(wù)器市場(chǎng),或許將有希望替代硬盤與傳統(tǒng)內(nèi)存,這將對(duì)服務(wù)器可維護(hù)性與效能帶來顯著提升。

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