DRAM 大廠華邦電5 日宣布,計(jì)劃在南科投資新廠的計(jì)劃已經(jīng)獲得科技部科學(xué)工業(yè)園區(qū)審議委員會(huì)的核準(zhǔn),總投資金額達(dá)新臺(tái)幣3,350 億元。若以之前華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞所說,建廠時(shí)間預(yù)計(jì)3 年的情況下,則新廠預(yù)計(jì)2020 年將可進(jìn)入投產(chǎn)。
華邦電為我國(guó)臺(tái)灣省的DRAM 大廠,目前僅有中科的一座12 寸廠。2016 年的年產(chǎn)能約4.3 萬片,2017 年年底將擴(kuò)增至4.8 萬片,2018 年底則擴(kuò)增到5.3 萬片。未來,最大的擴(kuò)充能量最大到5.5 萬片時(shí)就已經(jīng)將當(dāng)前臺(tái)中廠的剩余空間給全部用光。因此,面對(duì)未來的營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng),興建新廠成為不得不做的準(zhǔn)備。在相關(guān)人員查看過南科路竹基地的土地之后,希望可以取得25 公頃規(guī)模來建廠,于是華邦電在2017 年6 月底向經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)件遞交計(jì)劃書,現(xiàn)在終于獲得相關(guān)單位的同意。
華邦電表示,目前公司正致力于轉(zhuǎn)型為利基型記憶體解決方案供應(yīng)商,近年持續(xù)穩(wěn)定獲利,轉(zhuǎn)型效益顯著。華邦在營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)之際,隨著物聯(lián)網(wǎng)等未來趨勢(shì)之新興需求不斷崛起,尋求下一階段成長(zhǎng)契機(jī),秉持重視臺(tái)灣在地投資的理念,向園區(qū)提出投資設(shè)立新廠案,希望進(jìn)一步深耕臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)發(fā)展。未來將依董事會(huì)通過時(shí)程公告建廠及產(chǎn)能規(guī)劃相關(guān)事宜,亦密切觀察市場(chǎng)動(dòng)態(tài)與供需情況,以穩(wěn)健腳步審視產(chǎn)能配置,期以充沛產(chǎn)能滿足客戶需求。
之前華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞曾經(jīng)表示,關(guān)于新建廠的計(jì)劃,原本一點(diǎn)也不急。不料,當(dāng)前臺(tái)中12 寸廠產(chǎn)能在市況好的情況下,很短的時(shí)間內(nèi)就擴(kuò)產(chǎn)完畢,而且還不敷使用。再加上因?yàn)槿惫さ囊蛩叵拢陆◤S從動(dòng)工到試產(chǎn)要花3 年的時(shí)間,光是土建就要花上20 個(gè)月。所以,最快必須在當(dāng)下就決定落腳處,不然時(shí)間將會(huì)來不及。
而根據(jù)《科技新報(bào)》 獨(dú)家掌握到的消息指出,未來華邦電南科新廠的產(chǎn)能將規(guī)畫為每月達(dá)4 萬片,以因應(yīng)目前市場(chǎng)上的需求。而且,近期華邦電就將在董事會(huì)上通過該項(xiàng)投資的各項(xiàng)內(nèi)容,另外預(yù)計(jì)還進(jìn)行特定對(duì)象的私募增資計(jì)劃。據(jù)了解,該私募計(jì)劃已經(jīng)獲得國(guó)際性半導(dǎo)體大廠的青睞,預(yù)計(jì)屆時(shí)將參與該項(xiàng)華邦電的私募。
未來,由于有該國(guó)際性半導(dǎo)體大廠的加入,使得華邦電的產(chǎn)品有了穩(wěn)定的出海口之后,將可能會(huì)進(jìn)一步驅(qū)動(dòng)縮短建廠的時(shí)程。據(jù)了解,如果一切順利,未來期望藉由新廠的土建時(shí)期,就逐步先行導(dǎo)入生產(chǎn)設(shè)備,并先利用臺(tái)中廠的有限空間,再逐漸將部分設(shè)備安裝到位。之后,隨著新廠完成興建,再將設(shè)備陸續(xù)搬遷至新廠中,以期能縮短其中所必須消耗的測(cè)試時(shí)間,希望能提早產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間。
華邦電:全球第五大的DRAM供應(yīng)商
華邦電子股份有限公司于1987年九月由華新麗華集團(tuán)轉(zhuǎn)投資成立,為自有品牌IC設(shè)計(jì)及制造廠商,并為全世界第五大DRAM供應(yīng)商。
公司分快閃記憶體 IC、DRAM產(chǎn)品及記憶IC制造等三大事業(yè)群??扉W記憶體IC產(chǎn)品專注于微控制器消費(fèi)性產(chǎn)品、語音IC、多媒體IC、及電腦邏輯產(chǎn)品,如輸出入控制IC、筆記型電腦鍵盤控制器(KBC);記憶體產(chǎn)品則有Commodity DRAM、 Pseudo SRAM、Low -power DRAM、利基型DRAM、及NOR Flash。為臺(tái)灣省內(nèi)少數(shù)擁有晶圓廠之集成電路設(shè)計(jì)公司,同時(shí)也是全球利基型記憶體的主要供應(yīng)商。
2017年Q1,公司產(chǎn)品比重Specialty占比為44%,Mobile RAM占15%、NOR Flash占41%。應(yīng)用比重方面,通訊電子占32%,電腦占24%,消費(fèi)性電子占26%,車用及工業(yè)用占18%。
制程方面,Specialty記憶體方面,46 納米占90%,65納米占10%。
Mobile RAM方面,90納米占2%,65納米占31%,46納米占67%。
NOR Flash方面,90納米占35%,58納米占52%,46納米占13%。
華邦電主要產(chǎn)品為Nor Flash、利基型DRAM、Mobile RAM。
(1)NOR Flash產(chǎn)品:華邦電微Serial Nor Flash制造商,與旺宏同為全球最大供應(yīng)商,主要應(yīng)用于手機(jī)Feature Phone、PC(BIOS Code的儲(chǔ)存)及消費(fèi)性產(chǎn)品(STB及TV)等中低密度記憶體需求(512Kb~512Mb)的產(chǎn)品。2013年從Serial Flash擴(kuò)展到Code Storage Flash,應(yīng)用范圍涵蓋4C產(chǎn)品。
(2)DRAM產(chǎn)品:包括有利基型DRAM、Mobile DRAM 及Low Power DRAM 等,主要應(yīng)用于手機(jī)(SP 的照相模組)、PC、網(wǎng)通及TV 等產(chǎn)品(包括有16Mb~2Gb 的SDR、DDR、 DDR2 及DDR3 等) 。
(3)Mobile RAM的部分,分為Pserudp及Low power,公司以Pseudo RAM為主,聚焦手持電子裝置,主要供貨給歐美廠商,密度Low Power DRAM應(yīng)用于智能型手機(jī),用于相機(jī)模組等非主記憶體應(yīng)用。主要客戶有Micron與Spansion等。截至2013年第4季Pesudo及Low power比重為33%、67%。
公司積極發(fā)展利基型及手機(jī)用DRAM;在NOR Flash產(chǎn)品上則聚焦于中低容量市場(chǎng)。
產(chǎn)能部分,在新廠批下來之前,華邦電自有一座12寸晶圓廠,位于中科廠區(qū),滿載產(chǎn)能約6萬片,現(xiàn)有機(jī)臺(tái)設(shè)備每月產(chǎn)能約3.3萬片。其中,利基型DRAM月產(chǎn)能為2萬片,NOR Flash月產(chǎn)能1.4萬片,此外,至2016年底,力晶是華邦SDRAM委外代工廠。
2015年華邦電規(guī)劃于2015年Q2將12寸廠產(chǎn)能提升,其中DRAM提升至2.6萬片、NAND Flash增加至0.4萬片,NOR Flash則維持1.4萬片。
制程方面,DRAM制程由65納米導(dǎo)入46納米,F(xiàn)lash則導(dǎo)入46納米。