存儲器模組廠全部認為DRAM的缺貨狀況將持續(xù)，價格將維持在高檔；今年DRAM與NANDFlash缺貨幾乎達一整年，加上NORFlash亦因缺貨帶動價格高漲，使得制造廠南亞科、華邦電及旺宏本業(yè)營運第三季看漲。
存儲器模組廠創(chuàng)見預期，未來DRAM與NANDFlash缺貨狀況仍將持續(xù)，價格將維持在高檔。威剛也認為第三季在DRAM供給依然吃緊，再加上3DNANDFlash新制程良率有待提升，公司營運表現(xiàn)可望優(yōu)于第二季。
宇瞻也持同樣看法，預期DRAM全球供貨吃緊將延續(xù)；主要是制程轉進20納米以下，設計、生產(chǎn)難度大幅提升，至于需求端產(chǎn)品分類趨復雜，生產(chǎn)規(guī)劃難度增加。應用方面，上半年服務器標案需求強勁；第三季手機大廠推新機，平均存儲器容量3~6GB，搭載量增加。今年DRAM位元需求成長率估22.5%，三大主要供應商因先進制程難度提高以及獲利為導向，整體供給仍吃緊。
受到DRAM供貨短缺仍未紓解，加上地緣政治緊張的預期心理，市場漲勢可望延續(xù)至今年第四季。第三季隨著DRAM價格上漲，南亞科本業(yè)營運可望更上一層樓。NORFlash今年也加入缺貨的行列，華邦電及旺宏將同步受惠，并支撐股價仍處于相對高檔。
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