近日，IEEE高級(jí)會(huì)員TomCoughlin接受《人民郵電》報(bào)記者采訪，聚焦存儲(chǔ)器技術(shù)、傳輸網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)接口以及存儲(chǔ)系統(tǒng)等方面，分析解讀2017年數(shù)字存儲(chǔ)的技術(shù)走向與行業(yè)趨勢(shì)。

2016年固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展迅速，2017年這趨勢(shì)將會(huì)更加明顯。Coughlin表示，目前大型閃存廠商都在積極研發(fā)3D閃存技術(shù)，優(yōu)化改進(jìn)制程工藝，其中不乏來自中國的新興企業(yè)。然而，3D閃存發(fā)展之路并不平坦，因?yàn)槠髽I(yè)不但要購置昂貴的生產(chǎn)設(shè)備，而且初始收益率還遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于2D平面閃存。但隨著3D閃存的產(chǎn)量和回報(bào)率逐步提高，在2017年年底或2018年年中，3D閃存的生產(chǎn)成本將與2D閃存相當(dāng)。

目前，三星的64層V-NAND3D閃存已經(jīng)發(fā)貨。他指出，按照迭代速度，2017年市場(chǎng)有望推出接近100層的3D閃存產(chǎn)品。當(dāng)然，在增加閃存的堆疊層數(shù)之余，如何在不影響性能的情況下盡可能壓縮堆棧的高度，將會(huì)是廠商面臨的一大挑戰(zhàn)。而在2016IEDM會(huì)議上，韓國電子公司SK 海力士就提出了能夠?qū)崿F(xiàn)逾256層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的堆疊技術(shù)。

“2016年是固態(tài)存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵的一年。我們見證了眾多企業(yè)并購、達(dá)成戰(zhàn)略合作以及發(fā)起IPO等重大事件。2017年，產(chǎn)業(yè)融合的趨勢(shì)將會(huì)更加明顯。”2016年，全球知名的硬盤廠商西部數(shù)據(jù)完成了對(duì)閃迪的收購，將其收入麾下。另一個(gè)行業(yè)巨頭——希捷目前的企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品主要選用美光NAND閃存，但同時(shí)也在與韓國SK海力士洽談合作生產(chǎn)適用于其他應(yīng)用場(chǎng)景的NAND閃存產(chǎn)品。他推測(cè)，希捷將會(huì)在2017年與某家NAND閃存供應(yīng)商達(dá)成生產(chǎn)合作協(xié)議。這種合作關(guān)系，與當(dāng)年西部數(shù)據(jù)收購閃迪后，仍繼續(xù)與東芝保持合作類似。

在MRAM領(lǐng)域深耕最久的Everspin，最近成功公開上市。其MRAM芯片總發(fā)貨量已超過6億枚。面對(duì)日益旺盛的市場(chǎng)需求，Everspin正在努力提高性能更高的STT-MRAM芯片的產(chǎn)能。早期與Everspin達(dá)成生產(chǎn)合作的GlobalFoundries也在日前宣布成功研制出內(nèi)置STT-MRAM芯片的工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。此外，許多固態(tài)存儲(chǔ)和嵌入式系統(tǒng)的廠商都在積極研發(fā)MRAM。

Coughlin介紹說，今年3月，英特爾正式發(fā)布了革命性的存儲(chǔ)產(chǎn)品3DXpoint。這款與美光聯(lián)合開發(fā)的新型存儲(chǔ)器，歷經(jīng)多年終于迎來首次產(chǎn)品亮相。隨著3DXpoint存儲(chǔ)器的推出與普及，存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的性能和壽命要求將會(huì)日益增加，這對(duì)于電阻式RAM（RRAM）產(chǎn)品的大面積商用無疑是絕佳的機(jī)遇。

他預(yù)測(cè)，2017年將會(huì)迎來一批電阻式RAM產(chǎn)品的發(fā)布，并且將至少有一家廠商帶著應(yīng)用自旋扭矩的MRAM產(chǎn)品亮相。這種存儲(chǔ)器很有可能作為處理器的內(nèi)置內(nèi)存，廣泛應(yīng)用于工業(yè)與商用設(shè)備中。預(yù)計(jì)到2020年，這種新興存儲(chǔ)器的市場(chǎng)增長(zhǎng)有望以每年20億美元的速度迅速攀升。

2016年，NVMe的解決方案如雨后春筍般涌現(xiàn)。Coughlin表示，通過充分利用閃存的高效性能，一些基層操作系統(tǒng)以及其他軟件的運(yùn)行效率也將會(huì)明顯提高。“目前，一些廠商也正在圍繞NVMe接口開發(fā)對(duì)應(yīng)Fabric架構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)模型，我們有望在2017年看到更多這項(xiàng)技術(shù)的相關(guān)信息。”

隨著成本的下降和基礎(chǔ)生產(chǎn)設(shè)施的逐步完善，閃存的內(nèi)在性能大大提高，這使閃存日益成為數(shù)據(jù)中心更為普遍使用的產(chǎn)品。據(jù)VMWare存儲(chǔ)和可用性業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品副主席LeeCaswell介紹，“閃存介質(zhì)使得固態(tài)存儲(chǔ)的性能、靈活性和管理節(jié)約不能被忽視。隨著價(jià)格暴跌，我們預(yù)計(jì)閃存銷售將在2017年達(dá)到一個(gè)臨界點(diǎn)。”

美光推出了適用于各類型數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)SSD系列。系統(tǒng)管理員可以根據(jù)數(shù)據(jù)中心的工作負(fù)載流量需求，通過軟件靈活調(diào)整硬盤的配置提升數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)性能。近幾年來，包括美光在內(nèi)眾多廠商都在極力推動(dòng)全閃存數(shù)據(jù)中心的升級(jí)，但是Coughlin認(rèn)為該數(shù)據(jù)中心的普及仍需要一段時(shí)間。

據(jù)2016年8月發(fā)布的《Gartner全閃存陣列魔力象限》，隨著眾企業(yè)相繼發(fā)布極具競(jìng)爭(zhēng)潛力的產(chǎn)品，閃存陣列市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)擴(kuò)大。高性能存儲(chǔ)廠商DDN表示：“擁有多層存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)閃存，以及在不同應(yīng)用層面上功能集中的閃存將成為閃存部署方案的主流。但分歧仍會(huì)存在——如何最大化利用閃存的性能，全閃存陣列和軟件定義閃存，哪個(gè)才是快速處理數(shù)據(jù)以及應(yīng)用的最佳解決方案等。越來越多的企業(yè)采用閃存部署提升應(yīng)用和I/O讀寫性能。這要求存儲(chǔ)供應(yīng)商必須‘跳出’應(yīng)用層面，提升存儲(chǔ)方案的整體工作流程效率。這意味著要將閃存部署在存儲(chǔ)器的不同層級(jí)。”

Coughlin表示，2016年，3D閃存還處于產(chǎn)能低、成本高的過渡時(shí)期，同時(shí)平面式閃存亦未推陳出新。“我們預(yù)測(cè)2017年閃存存儲(chǔ)器市場(chǎng)將會(huì)收緊，每GB的單價(jià)降幅將可能達(dá)到歷史最低。隨著12TB機(jī)械硬盤HDD和14TB氦氣硬盤的相繼面世，機(jī)械硬盤的價(jià)格將持續(xù)走低，加上閃存供應(yīng)緊張及價(jià)格高漲，我們預(yù)測(cè)至少在近幾年內(nèi)，市場(chǎng)仍然將繼續(xù)青睞低價(jià)的大容量機(jī)械硬盤。”