全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強化其戰(zhàn)力，包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等，3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn)，熟悉后段封測業(yè)者表示，估計2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解，價格漲勢回穩(wěn)，而進入3D NAND時代后，存儲器封測業(yè)者中，又以力成最為受惠。

由于2017年存儲器大廠從2D NAND轉(zhuǎn)換到3D NAND，良率有所考驗，2D NAND既有產(chǎn)能則被占據(jù)，加上市場上需求不墜，供給減少需求續(xù)增，造成整體NAND Flash價格上漲、供需緊張局面，不過半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)者已經(jīng)表示估計韓系業(yè)者在2017年下半陸續(xù)量產(chǎn)，三星以64層3D NAND、SK海力士更以72層3D NAND力求領(lǐng)先業(yè)界。

而與臺系存儲器相關(guān)供應(yīng)體系業(yè)者合作關(guān)系良好的美系美光，預(yù)計投入研發(fā)生產(chǎn)64層3D NAND，2017年第2季開始量產(chǎn)，2017年下半更可望放量生產(chǎn)，日系東芝也鎖定64層3D NAND Flash產(chǎn)品大力投入。

而觀察幾大存儲器原廠動向，臺系大廠力成將成為后段封測代工的大贏家，2017年下半營運備受市場期待。主因系東芝持續(xù)擴大3D NAND產(chǎn)能，力成獲認證通過，第1季開始接單量產(chǎn)。美系大廠英特爾大連廠2016年底量產(chǎn)3D NAND，2017年下半會再量產(chǎn)新一代3D XPoint存儲器(NVM非揮發(fā)性存儲器，效能大勝于NAND Flash，目前英特爾僅推出第一款采用3D Xpoint之固態(tài)硬碟)，力成仍有機會成為主要后段封測代工廠，加上美光的3D NAND訂單，力成2017年逐季成長備受期待。董事長蔡篤恭日前也直接表示，第2季優(yōu)于第1季，力成主力客戶都直接為半導(dǎo)體業(yè)者，也不會受到缺貨漲價等問題影響太多。

對于封測業(yè)者來說，高階產(chǎn)品測試時間拉長，有利于封測業(yè)者營運，另外，影響封測業(yè)者營運增溫也必須端看訂單數(shù)量，3D NAND或是英特爾3D Xpoint產(chǎn)品，具有相當(dāng)難度，拉長測試時間對于力成等后段業(yè)者有利。

熟悉存儲器業(yè)者表示，估計2017年上半不管是DRAM、NAND Flash缺貨漲價態(tài)勢還會持續(xù)，但是缺貨也造成二線業(yè)者營運有壓力，預(yù)計市場到了第3季隨著國際大廠陸續(xù)放量生產(chǎn)3D NAND，整體NAND Flash漲價態(tài)勢稍微趨緩，產(chǎn)業(yè)供需緊張可望稍微調(diào)整腳步。