業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年，當(dāng)時(shí)的說(shuō)法是2014年就將啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)制定，但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X，也不見GDDR6的蹤影。據(jù)外媒報(bào)道，繼三星之后，美光也談及了自己未來(lái)的存儲(chǔ)規(guī)劃，其中就涉及GDDR6顯存。美光計(jì)劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進(jìn)到1Xnm，預(yù)計(jì)是16nm。同時(shí)，他們表示G5X顯存的需求將迎來(lái)增長(zhǎng)，考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用，不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會(huì)采用。

至于GDDR6，定于今年底或者明年初正式發(fā)布。

規(guī)格方面美光沒有更多資料分享，但此前三星簡(jiǎn)單介紹過(guò)，GDDR6顯存的單根引腳帶寬最高可達(dá)16Gbps，是GDDR5的2倍，也高于G5X理論峰值12Gbps。

工作電壓1.35V，和G5X一致，比G5低。

我們以一張256bit的顯卡來(lái)看，總帶寬最高可達(dá)512GB/s，完全媲美HBM一代顯存了，甚至看齊AMD的縮水二代。

我們知道，美光走的是和HBM陣營(yíng)完全不同的HMC，只是進(jìn)度不佳，但靠著GDDR容量、價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)和改良款式，仍在中高端盡力搏殺。