三星海力士正在開發(fā)密度更高/速度更快/成本更低的第三代HBM

責(zé)任編輯:editor004

2016-08-24 12:05:51

摘自:cnBeta.COM

盡管市面上還沒有太多使用高帶寬顯存(HBM)的產(chǎn)品,但這并不能阻擋三星和海力士繼續(xù)開發(fā)第三代HBM芯片。代HBM技術(shù)可將單片顯存容量提升到16Gb(第2代HBM技術(shù)為 8Gb),并且最高支持8片堆疊——配備64GB顯存的顯卡將成為現(xiàn)實(shí)。

盡管市面上還沒有太多使用高帶寬顯存(HBM)的產(chǎn)品,但這并不能阻擋三星和海力士繼續(xù)開發(fā)第三代HBM芯片。在庫(kù)比蒂諾召開的Hot Chips大會(huì)上,我們獲知了更多有關(guān)第三代HBM的信息。Ars Technica解釋到,傳統(tǒng)內(nèi)存設(shè)置多由盡可能貼近邏輯設(shè)備(CPU或GPU)的RAM芯片組成;而HBM則是彼此堆疊、通過(guò)TSVs直連的結(jié)構(gòu),然后它們會(huì)被放到邏輯芯片的封裝中。

這種封裝技術(shù)科技減少設(shè)備整體所需的占地面積(看看AMD的緊湊型Fury Nano顯卡就知道了),并為帶寬的巨大增加而敞開了大門。

不過(guò)目前,容量和價(jià)格依然是限制其廣泛采用的兩大障礙。幸運(yùn)的是,這些問(wèn)題有望在HMB3上得到解決。

第三代HBM技術(shù)可將單片顯存容量提升到16Gb(第2代HBM技術(shù)為 8Gb),并且最高支持8片堆疊——配備64GB顯存的顯卡將成為現(xiàn)實(shí)。

除此之外,HBM3所需的核心電壓更低、峰值帶寬也翻番(每層高達(dá)512GB/s)。唯一的“壞消息”是,我們可能還要再等幾年才能用上它。

鏈接已復(fù)制,快去分享吧

企業(yè)網(wǎng)版權(quán)所有?2010-2024 京ICP備09108050號(hào)-6京公網(wǎng)安備 11010502049343號(hào)