盡管市面上還沒有太多使用高帶寬顯存（HBM）的產(chǎn)品，但這并不能阻擋三星和海力士繼續(xù)開發(fā)第三代HBM芯片。在庫(kù)比蒂諾召開的Hot Chips大會(huì)上，我們獲知了更多有關(guān)第三代HBM的信息。Ars Technica解釋到，傳統(tǒng)內(nèi)存設(shè)置多由盡可能貼近邏輯設(shè)備（CPU或GPU）的RAM芯片組成；而HBM則是彼此堆疊、通過(guò)TSVs直連的結(jié)構(gòu)，然后它們會(huì)被放到邏輯芯片的封裝中。
這種封裝技術(shù)科技減少設(shè)備整體所需的占地面積（看看AMD的緊湊型Fury Nano顯卡就知道了），并為帶寬的巨大增加而敞開了大門。
不過(guò)目前，容量和價(jià)格依然是限制其廣泛采用的兩大障礙。幸運(yùn)的是，這些問(wèn)題有望在HMB3上得到解決。
第三代HBM技術(shù)可將單片顯存容量提升到16Gb（第2代HBM技術(shù)為 8Gb），并且最高支持8片堆疊——配備64GB顯存的顯卡將成為現(xiàn)實(shí)。
除此之外，HBM3所需的核心電壓更低、峰值帶寬也翻番（每層高達(dá)512GB/s）。唯一的“壞消息”是，我們可能還要再等幾年才能用上它。
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