據(jù)韓媒ETnews報(bào)道，SK Hynix將在2017年開始大規(guī)模量產(chǎn)10nm級DRAM，成為繼三星之后第二家邁入10nm DRAM制程的原廠。SK Hynix在內(nèi)部結(jié)束1xnm DRAM開發(fā)工作的同時(shí)即開始了1ynm DRAM的研發(fā)工作，并且同步建立了1znm DRAM的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以增加DRAM未來的產(chǎn)品競爭優(yōu)勢。

據(jù)了解，SK Hynix已經(jīng)在著手準(zhǔn)備1xnm DRAM批量生產(chǎn)的相關(guān)事宜，其項(xiàng)目名稱WieAlius，目前已經(jīng)有了晶圓原型，正在進(jìn)行量產(chǎn)前可行性的最終測試。半導(dǎo)體制造過程中通常所說的原型被分為工程樣品（ES）和客戶樣品（CS）兩種類型?？蛻魳悠肥菫榱嗽诳蛻舳藴y試過程中發(fā)現(xiàn)并修復(fù)工程樣品可能存在的某些問題，當(dāng)客戶樣品測試完成了之后可以判定完成了產(chǎn)品的開發(fā)過程。為了推動1xnm DRAM量產(chǎn)的進(jìn)行，SK Hynix將立即執(zhí)行客戶樣品測試的流程，這說明SK Hynix已經(jīng)基本成功完成了1xnm DRAM開發(fā)。

從目前情況來看，SK Hynix將在2017年第一季度對位于利川的M14工廠投入生產(chǎn)設(shè)備，為批量量產(chǎn)做準(zhǔn)備。然后將于2017年的第二季度開始1xnm DRAM的批量生產(chǎn)。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為在2znm DRAM制程層面，SK Hynix相較于三星技術(shù)方面落后了1年半的時(shí)候。三星電子在今年第二季度已經(jīng)開始量產(chǎn)1xnm DRAM，如果SK Hynix能在2017年第二季度實(shí)現(xiàn)1xnm DRAM的量產(chǎn)，它們之間的差距將縮減到1年。

除了加快1xnm DRAM的量產(chǎn)進(jìn)度，SK Hynix還計(jì)劃通過加快1ynm 和1znm DRAM的開發(fā)進(jìn)度來縮短與三星電子之間的差距。1ynm和1znm DRAM項(xiàng)目名稱分別被命名為“Davinci”和“Rigel”。這也是SK Hynix目前正在進(jìn)行的“+2”策略，所謂的“+2”策略是存儲行業(yè)中完成一個(gè)產(chǎn)品的開發(fā)后同時(shí)開始進(jìn)行后面兩代產(chǎn)品的開發(fā)。

聽說美光方面甚至還沒有開始2znm DRAM的量產(chǎn)，SK Hynix加快1ynm和1znm的開發(fā)進(jìn)度在縮短與三星差距的同時(shí)還能拉開與美光之間的差距。

市場預(yù)測，SK Hynix在2017年將是其變化最大的一年，在存儲市場需求持續(xù)增長的前提下，若SK Hynix的技術(shù)開發(fā)能一切順利，SK Hynix的年?duì)I業(yè)利潤將進(jìn)一步成長。

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