在前幾天發(fā)布的初期財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)中，三星Q3季度雖然面臨營(yíng)收下滑5%的困境，但盈利同比增長(zhǎng)6%，這次移動(dòng)部門是沒(méi)啥指望了，讓三星大賺特賺的是半導(dǎo)體，不斷漲價(jià)的內(nèi)存、閃存就是大功臣。今年智能手機(jī)內(nèi)存、閃存容量不斷增加，導(dǎo)致市場(chǎng)供應(yīng)吃緊進(jìn)而漲價(jià)，三星也瞅準(zhǔn)了機(jī)會(huì)在年底量產(chǎn)第四代V-NAND閃存，64層堆棧，屆時(shí)韓國(guó)的華城、中國(guó)的西安工廠都將是主產(chǎn)地。

　　▲中國(guó)西安的三星工廠也將是未來(lái)64層堆棧3D閃存的主產(chǎn)地

在3D閃存方面，三星的V-NAND閃存量產(chǎn)時(shí)間最早，領(lǐng)先SK Hynix、東芝、美光、Intel至少兩年時(shí)間，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到了第三代，堆棧層數(shù)48層，而美光、Intel、SK Hynix等公司的3D閃存不過(guò)24、36層堆棧，東芝閃迪系的BiCS閃存起點(diǎn)很高，直接上48層堆棧，但量產(chǎn)時(shí)間要等到明年。

今年8月份三星就曝光了64層堆棧的V-NAND閃存了，TLC類型，核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。

根據(jù)三星最新的規(guī)劃，64層V-NAND閃存預(yù)計(jì)會(huì)在今年底量產(chǎn)，韓國(guó)京畿道聲的華城市工廠已經(jīng)開始準(zhǔn)備生產(chǎn)了。此外，三星在中國(guó)西安的晶圓廠也會(huì)量產(chǎn)64層V-NAND閃存，去年發(fā)布950 Pro時(shí)三星就提到西安工廠是最早量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的工廠，這次64層堆棧閃存量產(chǎn)計(jì)劃中，西安工廠也會(huì)是主產(chǎn)地之一。

三星還在韓國(guó)平澤市建設(shè)新的工廠，今年12月份將完成主體建筑施工，最快明年4月份就能生產(chǎn)，這比預(yù)期的時(shí)間提前了三個(gè)月。