三星在3D NAND閃存上量產(chǎn)時間最早，產(chǎn)能也是最高的，領(lǐng)先其他公司至少三年時間，其V-NAND技術(shù)的3D NAND已經(jīng)發(fā)展到第三代了，48層堆棧。東芝、西數(shù)此前宣布四日市的新工廠竣工，并且早就開始生產(chǎn)3D NAND閃存了，現(xiàn)在雙方又公布了其3D NAND閃存的最新進展——64層堆棧的BiCS 3D閃存已經(jīng)開始出樣，比之前的48層堆棧更先進，預(yù)計2017年上半年正式量產(chǎn)。

對于3D NAND閃存，全球四大NAND豪門——三星、東芝/西數(shù)（閃迪已經(jīng)被西數(shù)拿下）、SK Hynix、美光/Intel都有不同的解決方案，堆棧的層數(shù)也不同。

作為NAND閃存的發(fā)明人，東芝研發(fā)的3D NAND使用的是BiCS技術(shù)，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。目前量產(chǎn)的是48層堆棧，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb。

東芝、西數(shù)目前宣布的新一代BiCS閃存是64層堆棧的，核心容量256Gb（32GB），未來還會推出容量高達512Gb的產(chǎn)品。東芝表示64層堆棧的3D NAND閃存單位面積容量增加了40%，每片晶圓所能生產(chǎn)的NAND容量也變大了，成本隨之降低。

東芝的64層堆棧3D NAND閃存已經(jīng)開始出樣給客戶，2016年底有可能看到部分零售產(chǎn)品，但真正規(guī)模量產(chǎn)還要等到2017年上半年。