西部數(shù)據(jù)發(fā)布64層3DNAND閃存,首創(chuàng)3位元型芯片

責任編輯:editor005

2016-07-27 15:36:27

摘自:存儲在線

7月27日,- 西部數(shù)據(jù)公司宣布成功開發(fā)出下一代3D NAND閃存技術BiCS3,具有64層垂直存儲功能,BiCS3采用了3位元型技術。公司將繼續(xù)為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術BiCS2產(chǎn)品。

7月27日,- 西部數(shù)據(jù)公司宣布成功開發(fā)出下一代3D NAND閃存技術BiCS3,具有64層垂直存儲功能,BiCS3采用了3位元型技術。目前,西部數(shù)據(jù)已經(jīng)在其位于日本四日市的合資企業(yè)開始試產(chǎn),預計今年晚些時候完成初產(chǎn)。公司計劃在2017年上半年開始商業(yè)化量產(chǎn)。

3D NAND 64層-圖片

西部數(shù)據(jù)存儲技術執(zhí)行副總裁Siva Sivaram先生表示:“在我們64位架構基礎上發(fā)布下一代3D NAND技術,將增強我們在NAND閃存技術領域的領導地位。BiCS3高深寬比半導體處理上實現(xiàn)進展,能夠以更優(yōu)成本提供更高容量、出色性能,并具有更高的可靠性。這項技術與BiCS2一道,大幅擴寬了我們的3D NAND產(chǎn)品組合,提升了我們滿足零售、移動和數(shù)據(jù)中心整體客戶應用需求的能力。”

BiCS3由西部數(shù)據(jù)公司與制造商東芝公司聯(lián)合開發(fā),初步的閃存容量為256GB,且在單芯片上的容量最高可達0.5TB。西部數(shù)據(jù)希望在2016年第四季度能夠向零售市場批量交付BiCS3,本季度開始OEM取樣檢驗。同時,公司將繼續(xù)為零售和OEM客戶交付上一代3D NAND技術BiCS2產(chǎn)品。

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