英特爾此次以55億美元的大手筆增資轉(zhuǎn)產(chǎn)，究竟將采用何種技術(shù)？對(duì)于這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)，英特爾方面迄今并未宣布，引發(fā)業(yè)界、特別是大連市有關(guān)方面的關(guān)注和猜想，這也將成為英特爾大連工廠未來(lái)技術(shù)路線圖的焦點(diǎn)所在。

大連市半導(dǎo)體協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)唐忠德在接受記者采訪時(shí)分析認(rèn)為，英特爾大連工廠在大手筆實(shí)施增資轉(zhuǎn)產(chǎn)后，一定是采用目前國(guó)內(nèi)最頂尖的技術(shù)，有可能比國(guó)內(nèi)目前的技術(shù)水平領(lǐng)先一——二代，但仍將比國(guó)際最先進(jìn)水平落后至少二代。這是符合瓦圣納協(xié)議的相關(guān)限制規(guī)定的。（這是冷戰(zhàn)時(shí)代的產(chǎn)物，即對(duì)在傳統(tǒng)武器和雙重用途的貨物和技術(shù)輸出控制的國(guó)際協(xié)定。）這個(gè)判斷既符合此產(chǎn)品的性能特點(diǎn)，也符合瓦圣納協(xié)議的限制條款。

根據(jù)分析，要在大連生產(chǎn)這樣一種3D存儲(chǔ)器產(chǎn)品，其對(duì)工藝水平和技術(shù)要求非常高。從近年英特爾的技術(shù)發(fā)展路線圖分析，可以得出一個(gè)基本的判斷。2010年，英特爾與美光曾宣布，推出25納米的新存儲(chǔ)器工藝技術(shù)。2011年，英特爾與美光再次宣布，采用最先進(jìn)的20納米工藝技術(shù)。2013年，英特爾宣布采用14納米技術(shù)；2015年末，英特爾可能將采用10納米技術(shù)。同時(shí)，7納米技術(shù)和5納米技術(shù)已進(jìn)入研發(fā)階段。由此判斷，英特爾大連工廠未來(lái)的存儲(chǔ)器生產(chǎn)，將采用節(jié)點(diǎn)技術(shù)，可能的技術(shù)水平介于20~28納米之間。據(jù)預(yù)計(jì)，如果采用22納米技術(shù)，則意味著該產(chǎn)品仍將與國(guó)際主流技術(shù)相差2代左右。這個(gè)判斷符合瓦圣納協(xié)議的限制條款。據(jù)預(yù)計(jì)，英特爾大連工廠最早將于2016年底投產(chǎn)，屆時(shí)，世界主流的工藝技術(shù)水平恰好將達(dá)到10納米，而10納米到20納米之間相差兩代。

根據(jù)推測(cè)，英特爾大連工廠的晶圓尺寸仍將采用300毫米，12英寸規(guī)格。目前中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)工藝技術(shù)水平最高的是中芯國(guó)際，采用的是28納米技術(shù)，英特爾大連工廠未來(lái)采用的工藝技術(shù)水平至少將領(lǐng)先國(guó)內(nèi)一代以上。

另外，由于英特爾大連工廠已于2010年正式投產(chǎn)，此次實(shí)施大規(guī)模的增資轉(zhuǎn)產(chǎn)，只是需要更換生產(chǎn)線上的很多設(shè)備，而不是另起爐灶，所以再次投產(chǎn)的時(shí)間將并不漫長(zhǎng)，最快到明年底，預(yù)計(jì)英特爾大連工廠就將以一個(gè)全新的面貌再次進(jìn)入投產(chǎn)階段。