IDC預(yù)測，2015年至2020年，全球生成的數(shù)據(jù)量將從7.2ZB增加到至少40ZB。如此大的數(shù)據(jù)量如何實(shí)現(xiàn)快速讀取和分析？存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)π陆橘|(zhì)的需求愈發(fā)強(qiáng)烈。

互聯(lián)網(wǎng)+時(shí)代，企業(yè)需要的是高性能、高耐用性、低成本固態(tài)盤解決方案。2015年，英特爾相繼宣布攜手鎂光研發(fā)推出了高密度閃存3D NAND技術(shù)以及內(nèi)存技術(shù)3D Xpoint。

英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲(chǔ)器（NVM）解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Robert B. Crooke

英特爾公司高級副總裁兼非易失性存儲(chǔ)器（NVM）解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Robert B. Crooke表示：“針對用戶的應(yīng)用需求與業(yè)務(wù)特點(diǎn)，我們的策略主要是形成用戶需求、技術(shù)創(chuàng)新與平臺優(yōu)化的閉環(huán)，深入挖掘用戶的實(shí)際應(yīng)用特點(diǎn)，有針對性的進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，并針對不同應(yīng)用環(huán)境進(jìn)行產(chǎn)品、系統(tǒng)、平臺層面的全面優(yōu)化，從而使得用戶能夠獲得更好的應(yīng)用體驗(yàn)、擴(kuò)大英特爾固態(tài)盤在企業(yè)級與消費(fèi)級市場的市場份額。”

當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成的新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。

這款3D NAND技術(shù)在未來幾年中將會(huì)逐漸獲得價(jià)格優(yōu)勢，在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域?yàn)榧铀賁SD代替HDD奠定基礎(chǔ)。

英特爾與鎂光共同研發(fā)的3D Xpoint技術(shù)則可以稱之為在內(nèi)存處理技術(shù)上的重大突破。英特爾公司非易失性存儲(chǔ)器（NVM）解決方案事業(yè)部策略及產(chǎn)品規(guī)劃總監(jiān)Prasad Alluri在做產(chǎn)品介紹時(shí)表示，3D XPoint技術(shù)可以帶來1000倍的性能提升，即比目前在移動(dòng)設(shè)備和固態(tài)硬盤上使用的NAND閃存速度快1000倍，而且耐久度更好。3D Xpoint也是25年來第一款全新的內(nèi)存芯片。

英特爾公司非易失性存儲(chǔ)器（NVM）解決方案事業(yè)部策略及產(chǎn)品規(guī)劃總監(jiān)Prasad Alluri

3D Xpoint技術(shù)不但可以改善個(gè)人計(jì)算的體驗(yàn)，還可以可以用來打造高性能、高容量的儲(chǔ)存解決方案，成本也同樣很低。除了比NAND閃存更快，這種新技術(shù)還比目前在計(jì)算機(jī)中使用的DRAM密度高10倍，這意味著更多的數(shù)據(jù)可以被儲(chǔ)存在處理器附近，并帶來更快的訪問速度。

英特爾還透露，搭載以上兩種技術(shù)的產(chǎn)品將在明年相繼面世。