NAND閃存戰(zhàn)爭(zhēng) TLC能否戰(zhàn)勝M(fèi)LC成主流?

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作者:匡博偉

2015-09-28 11:48:10

摘自:中關(guān)村在線

隨著固態(tài)硬盤市場(chǎng)的快速發(fā)展,固態(tài)硬盤所使用的閃存也備受關(guān)注。四大NAND廠商中,三星對(duì)TLC閃存最為熱心,他們2年前就開始在消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)上推TLC閃存硬盤了,現(xiàn)在已經(jīng)出了840、840 Evo及850 Evo三代了 

隨著固態(tài)硬盤市場(chǎng)的快速發(fā)展,固態(tài)硬盤所使用的閃存也備受關(guān)注。目前市場(chǎng)上主流的閃存有兩種,一種是MLC,一種是TLC。而TLC從誕生開始就被廣大消費(fèi)者認(rèn)為是性能差、可靠性低、壽命短,因此并不受消費(fèi)者待見。TLC閃存就真的比不上MLC閃存嗎?現(xiàn)在游戲畫面逐漸精美,軟件功也更加強(qiáng)大,隨之而來(lái)的的也是容量的提升市場(chǎng)對(duì)閃存容量的要求越來(lái)越高,我們先不論性能方面,至少對(duì)NAND廠商來(lái)說(shuō),TLC閃存大容量、低成本的誘惑無(wú)法抵擋。

NAND閃存戰(zhàn)爭(zhēng) TLC能否戰(zhàn)勝M(fèi)LC成主流?

NAND閃存戰(zhàn)爭(zhēng) TLC能否戰(zhàn)勝M(fèi)LC成主流?

首先從了解閃存顆粒有哪些開始。閃存市面上常見的有SLC、MLC、TLC。下面我們來(lái)看一下三種架構(gòu)芯片的區(qū)別。

TLC芯片架構(gòu)

TLC芯片架構(gòu)

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但是執(zhí)行效率高,最大的特點(diǎn)就是速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約MLC 3倍以上的價(jià)格),約10萬(wàn)次擦寫壽命。其在企業(yè)級(jí)SSD上比較常見,例如經(jīng)典的Intel X25-E系列,此外在一些高端的U盤上也有使用。

MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,其有00,01,10,11四個(gè)充電至,因此要比SLC需要更多的訪問(wèn)時(shí)間。其最大特點(diǎn)就是速度一般壽命一般,價(jià)格一般,約3000---10000次擦寫壽命。如今大多數(shù)的消費(fèi)機(jī)SSD都是使用的MLC。

TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,每個(gè)單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù),共八個(gè)充電值,也有Flash廠家叫8LC,最大特點(diǎn)就是速度慢壽命短,價(jià)格便宜,約500次擦寫壽命,目前還沒(méi)有廠家能做到1000次。,通常用在U盤或者存儲(chǔ)卡這類移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備上。

激戰(zhàn) TLC能否勝M(fèi)LC成主流?

TLC閃存(準(zhǔn)確地說(shuō)是3bit MLC)在我們的生活中很常見,例如我們所使用的U盤,特別是價(jià)格很實(shí)惠的那些,差不多都是TLC閃存了,其他外置NAND存儲(chǔ)設(shè)備也是TLC閃存的大客戶。但廠商對(duì)TLC的偏愛并不止這些,以往TLC閃存都是用在偏重成本的領(lǐng)域,但現(xiàn)在TLC閃存開始侵入到SSD、eMMC/eCMP等主流市場(chǎng)了。

大部分U盤使用TLC閃存

大部分U盤使用TLC閃存

TLC產(chǎn)品

TLC產(chǎn)品

那么TLC性能差、可靠性低、壽命短這些問(wèn)題又是否屬實(shí)呢?其實(shí)相比較MLC而言,TLC閃存的成本通常只有MLC閃存的80-85%,這也就不能解釋為什么廠商喜愛TLC。實(shí)際上現(xiàn)在的TLC閃存也逐漸解決了以往的問(wèn)題,性能可以靠加大緩存、改進(jìn)主控等方式解決,P/E壽命雖然沒(méi)得改,但可靠性可以借助增加ECC校驗(yàn)、優(yōu)化主控讀寫等方式改善,而且對(duì)NAND閃存來(lái)說(shuō),容量就是壽命,更大的容量就有了更高的數(shù)據(jù)寫入壽命。目前固態(tài)硬盤逐漸往大容量方向走去。所以TLC擁有更大的優(yōu)勢(shì)是毋庸置疑的。

四大NAND廠商中,三星對(duì)TLC閃存最為熱心,他們2年前就開始在消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)上推TLC閃存硬盤了,現(xiàn)在已經(jīng)出了840、840 Evo及850 Evo三代了

今年底TLC閃存將占據(jù)45%的市場(chǎng)份額

今年底TLC閃存將占據(jù)45%的市場(chǎng)份額

而根據(jù)dramexchange的統(tǒng)計(jì),去年A4季度TLC閃存已經(jīng)占據(jù)了37%的市場(chǎng)份額了,今年TLC閃存份額還會(huì)繼續(xù)上漲,上半年因?yàn)榧竟?jié)因素變化不大,但Q4季度預(yù)計(jì)TLC閃存就會(huì)占據(jù)45%的市場(chǎng)份額,接近一半的市場(chǎng)份額了。

3D NAND技術(shù)的TLC閃存

3D NAND技術(shù)的TLC閃存

平面TLC閃存時(shí)代主要是三星在推,目前三星已經(jīng)轉(zhuǎn)向3D閃存了,東芝/閃迪、Intel/美光、SK Hynix等廠商也各自開發(fā)了3D NAND技術(shù)很快也會(huì)跟三星一樣推出3D NAND技術(shù)的TLC閃存。

全文總結(jié):

NAND閃存戰(zhàn)爭(zhēng)中,TLC閃存已經(jīng)是大勢(shì)所趨,它的性能及可靠性問(wèn)題可以借助其他技術(shù)改善,由于市場(chǎng)對(duì)大容量、低價(jià)格的閃存有龐大的需求,TLC更大范圍內(nèi)的在固態(tài)硬盤中使用已成趨勢(shì)。但筆者認(rèn)為最重要的是固態(tài)硬盤廠商解決消費(fèi)者在意的問(wèn)題,讓消費(fèi)者有更好的體驗(yàn),消除后顧之憂,這才是我們更為關(guān)系的事。

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