東芝發(fā)布全球首款48層堆疊式閃存

責任編輯:editor007

2015-08-21 17:56:38

摘自:中國信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)-人民郵電報

東芝推出全球首款48層3D堆疊式結構閃存,該閃存采用了一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構,相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上),極大地提高了密度,其容量可達256Gb(32GB),同時采用了行業(yè)領先的三階存儲單元(TLC)技術。

東芝推出全球首款48層3D堆疊式結構閃存,該閃存采用了一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構,相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上),極大地提高了密度,其容量可達256Gb(32GB),同時采用了行業(yè)領先的三階存儲單元(TLC)技術。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應用,包括消費級固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD。據(jù)悉,樣品將于9月開始發(fā)貨。

東芝于1987年在世界上最早開發(fā)出NAND閃存,此次推出的新產(chǎn)品所采用的48層3D堆疊工藝,除了可以提高閃存的容量,同時還能提高可寫入/擦除次數(shù)及寫入速度。目前,這一產(chǎn)品在東芝四日市工廠開始生產(chǎn),預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產(chǎn)該產(chǎn)品。

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