東芝推出全球首款48層3D堆疊式結構閃存，該閃存采用了一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存（存儲單元位于硅基板上），極大地提高了密度，其容量可達256Gb（32GB），同時采用了行業(yè)領先的三階存儲單元（TLC）技術。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應用，包括消費級固態(tài)硬盤（SSD）、智能手機、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開始發(fā)貨。
東芝于1987年在世界上最早開發(fā)出NAND閃存，此次推出的新產(chǎn)品所采用的48層3D堆疊工藝，除了可以提高閃存的容量，同時還能提高可寫入/擦除次數(shù)及寫入速度。目前，這一產(chǎn)品在東芝四日市工廠開始生產(chǎn)，預計于2016年上半年完工的新工廠也將生產(chǎn)該產(chǎn)品。
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