國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“高密度磁存儲(chǔ)材料

責(zé)任編輯:zsheng

2018-11-24 18:28:54

摘自:IT大世界

由于天然對(duì)多核友好,ARM這類精簡(jiǎn)架構(gòu)在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等平臺(tái)也想有所作為,雖然高通的努力不太成功,但并未放棄,現(xiàn)在華為也大踏步跟進(jìn)了。

由于天然對(duì)多核友好,ARM這類精簡(jiǎn)架構(gòu)在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等平臺(tái)也想有所作為,雖然高通的努力不太成功,但并未放棄,現(xiàn)在華為也大踏步跟進(jìn)了。

AnandTech發(fā)布了一組華為第四代ARM服務(wù)器自研芯片,Hi1620的主要規(guī)格信息,其定位是全球首款7nm工藝的數(shù)據(jù)中心用ARM處理器。

7納米64核!華為發(fā)布高性能服務(wù)器CPU

Hi1620服務(wù)于華為代號(hào)“Taishan泰山”的高性能平臺(tái),芯片基于ARM v8.2架構(gòu),單路可配置24~64核,每核心配置512KB二級(jí)緩存和1MB三緩,頻率范圍在2.4~3.0GHz。

這套CPU核心代號(hào)Ares,外媒稱是ARM用于服務(wù)器的公版,但有國(guó)內(nèi)媒體透露其實(shí)是華為基于ARM v8.2自研,尚待確認(rèn)。

存儲(chǔ)和I/O方面,支持8通道DDR4-3200內(nèi)存,支持40條PCIe 4.0通道,雙十萬兆網(wǎng)絡(luò)連接,4個(gè)USB 3.0、16個(gè)SAS 3.0以及2個(gè)SATA 3.0接口。

可能是晶體管規(guī)模特別大,即便是7nm工藝加持,Hi1620芯片BGA封裝的尺寸達(dá)到了60x75 mm,比上一代16nm的Hi1616的57.5x57.5 mm還大。

最后是功耗,范圍100~200W,也就是24核對(duì)應(yīng)100W,64核對(duì)應(yīng)200W。

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