新款碳化硅(SiC)二極管提高涌流-標稱電流比，是應對逆變器小型化挑戰(zhàn)的理想選擇

中國，2014年12月17日——橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商、功率芯片大廠意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款汽車質(zhì)量級碳化硅(SiC) 二極管，以滿足電動汽車和插電式混合動力汽車 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽車對車載充電器 (OBC, on-board battery chargers) 在有限空間內(nèi)處理大功率的苛刻要求。

這些二極管讓設計人員能夠研發(fā)更小的電源模塊，這不僅對汽車電源系統(tǒng)有益，還使其成為克服Google和IEEE提出的逆變器小型化挑戰(zhàn)的關(guān)鍵選擇。Google出資高達100萬美元獎金征集比現(xiàn)有逆變器的十分之一還小，且適合各種應用領(lǐng)域，特別是太陽能微型發(fā)電機(solarmicro-generator)的千瓦級逆變器設計；意法半導體是這項公開挑戰(zhàn)賽的合作廠商。

新款二極管采用先進技術(shù)，防止大脈沖電流(high-currentspikes)燒毀裝置。為了安全起見，設計人員至今還在超額使用二極管。意法半導體開發(fā)的新產(chǎn)品徹底改變了這一局面，過流保護值是額定電流值的2.5倍，因此設計人員可選用更小、更經(jīng)濟且可靠性和能效都不會受到影響的電流更小的二極管。

意法半導體的新碳化硅二極管通過汽車級產(chǎn)品測試，極性接反擊穿電壓提高到650V，能夠滿足設計人員和汽車廠商希望降低電壓補償系數(shù)(voltagederatingfactor) 的要求，以確保車載充電半導體元器件的標稱電壓與瞬間峰壓 (peak voltage) 之間有充足的安全裕度 (safety margin)。

碳化硅作為寬帶隙(WBG,WideBand-Gap) 技術(shù)，具有眾所周知的能效優(yōu)勢；相對于元器件本身的尺寸，比較開關(guān)損耗 (switching loss) 和額定電壓 (voltage rating) 兩項參數(shù)，新產(chǎn)品均優(yōu)于傳統(tǒng)硅二極管。這次推出的650V二極管包括TO-220AC功率封裝的10A STPSC10H065DY和 TO-220AC封裝的12A STPSC12H065DY。此外，TO-220AB封裝的STPSC20H065CTY和TO-247封裝的STPSC20H065CWY是內(nèi)置2個10A二極管的雙管產(chǎn)品 (dual-diode)，可最大限度提升空間利用率，降低車載充電器的重量。