拆開一塊當(dāng)代最先進(jìn)的3D閃存SATA固態(tài)硬盤，大概率看到的是寥寥幾顆閃存顆粒，一顆沒有DRAM緩存伴隨的主控芯片。如今，無外置緩存式方案已經(jīng)成為SATA固態(tài)硬盤的標(biāo)準(zhǔn)配置。通過內(nèi)置少量SRAM緩存輔以優(yōu)化FTL算法，東芝TR200這樣的無DRAM緩存固態(tài)硬盤一樣能發(fā)揮出色的隨機(jī)讀寫效能。

時間回到三年前，彼時剛剛問世的東芝第一代2D TLC固態(tài)硬盤Q300使用搭配DRAM緩存的8通道主控，密密麻麻排布的閃存顆粒使得整個PCB顯得非常飽滿，然而它和TR200的性能幾乎沒有差別，甚至于在一些方面還不如板子更空的TR200。

今年問世的東芝RC100更是刷新了大眾對于固態(tài)硬盤的印象，在M.2 2242的迷你PCB上僅有一顆芯片，明明是最小的M.2固態(tài)硬盤，卻依然顯得“空曠”：

我們將RC100與一款經(jīng)典SATA固態(tài)硬盤的拆解圖相對比，會發(fā)現(xiàn)除了DRAM緩存之外，其他幾個元件也消失不見了：

首先是上圖紅色框內(nèi)的黑色小芯片——串口NOR閃存。僅有1MB左右容量的它在固態(tài)硬盤當(dāng)中承載著固件存儲的作用，類似于主板上的BIOS芯片。當(dāng)代固態(tài)硬盤的主控已經(jīng)自帶了ROM空間，獨(dú)立存在的NOR閃存芯片也就不再需要了。

主控右下角黃色框內(nèi)的外掛晶振是固態(tài)硬盤中另一個正在消失的元件。目前多數(shù)大廠SSD上的晶振已經(jīng)被整合到芯片內(nèi)部。

東芝RC100又將主控和閃存又做了一次大整合，它們被封裝在了一個顆粒內(nèi)，減少PCB布線的同時，也使得固態(tài)硬盤整體更加緊湊。

除了M.2 2242之外，它還可以做成更小的M.2 2230規(guī)格，甚至直接被集成到輕薄筆記本電腦的主板上去。

RC100使用的東芝BiCS3閃存使用了64層3D堆疊工藝制造，單個晶粒的容量256Gb，只需將16個閃存晶粒與主控一并封裝，即可獲得只有一顆芯片的480GB NVMe固態(tài)硬盤。

作為NVMe協(xié)議固態(tài)硬盤的RC100同樣沒有外置DRAM緩存，透過NVMe協(xié)議的Host Memory Buffer主機(jī)內(nèi)存加速特性，RC100只需借用主機(jī)38MB容量的內(nèi)存，即可像有外置DRAM緩存的NVMe固態(tài)硬盤一樣高效地工作。

隨著96層BiCS4閃存以及QLC技術(shù)的量產(chǎn)，未來單芯片NVMe固態(tài)硬盤就有機(jī)會實(shí)現(xiàn)1.33TB的海量存儲空間，你還會懷念當(dāng)初元件密密麻麻的老舊固態(tài)硬盤嗎？