英特爾制程技術(shù)路線圖及制程工藝解析

英特爾今天公布了公司有史以來(lái)最詳細(xì)的制程技術(shù)路線圖之一，展示了從現(xiàn)在到2025年乃至更遠(yuǎn)的未來(lái)，驅(qū)動(dòng)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的突破性技術(shù)。本文介紹了實(shí)現(xiàn)此路線圖的創(chuàng)新技術(shù)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)，并解釋了新的節(jié)點(diǎn)命名方法背后的依據(jù)。

Intel開(kāi)放22及10nm制程對(duì)ARM架構(gòu)代工業(yè)務(wù)

在2017年的ARMTechCon大會(huì)上，在某些領(lǐng)域已經(jīng)形成相互爭(zhēng)關(guān)系的半導(dǎo)體大廠Intel和硅智財(cái)權(quán)廠商AMD，兩者宣布將建立廣泛的合作關(guān)系。為了進(jìn)一步增加營(yíng)收，Intel才在ARMTechCon大會(huì)上上強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體代工部分一定會(huì)針對(duì)ARM核心架構(gòu)的產(chǎn)品

為7納米制程做準(zhǔn)備 三星8納米LPP制程技術(shù)完成驗(yàn)證

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，18日三星官方正式宣布已完成了8納米LPP制程技術(shù)的驗(yàn)證，不久之后可量產(chǎn)。未來(lái)三星自行研發(fā)的處理器，以及部分高通ARM架構(gòu)處理器，或許會(huì)采用最新的8納米LPP制程技術(shù)。

英特爾10納米制程將優(yōu)先生產(chǎn)3D NAND Flash

之前，芯片大廠英特爾(英特爾)在中國(guó)舉行的“尖端制造大會(huì)”上，正式向大家展示了藉由最新的10納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的晶圓，并且表示由10納米制程技術(shù)所生產(chǎn)的CannonLake處理器將會(huì)在2017年年底之前開(kāi)始量產(chǎn)。

3納米制程 可能是終極技術(shù)

半導(dǎo)體制程技術(shù)已推進(jìn)到10納米，據(jù)臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀先前估計(jì)，3納米應(yīng)該會(huì)出來(lái)，2納米則有不確定性，意即3納米有可能是半導(dǎo)體終極先進(jìn)技術(shù)

臺(tái)積電工程師欲泄密28納米制程技術(shù)，目前已被起訴

5月2日消息 據(jù)臺(tái)灣媒體聯(lián)合報(bào)報(bào)道，日前上海華力微電子招募了一位臺(tái)積電的工程師，但這位工程師被控在離職前竊取臺(tái)積電的28納米工藝制程技術(shù)，遭到臺(tái)灣檢方的起訴。