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垂直疊加關(guān)鍵字列表

3D NAND構(gòu)成了全閃存一半的產(chǎn)出

3D NAND是對(duì)閃存單元層進(jìn)行垂直向上堆疊，類似于微觀摩天樓，有近期報(bào)道稱其今年將成為全閃存內(nèi)存的重要技術(shù)。

2017-05-02
NAND閃存垂直疊加

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