韓媒稱三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)

責(zé)任編輯:zsheng

2018-06-19 22:23:56

摘自:驅(qū)動之家

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。

據(jù)Digitimes引述News1 Korea報道,三星悄悄啟動了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。

報道稱,三星最快在2020年開始大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。

EUV光刻目前被三星、臺積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點上,制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示,7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn),明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。

結(jié)合手頭掌握的資料,高通已經(jīng)確認(rèn)其5G基帶芯片將由三星的7nm代工。

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