全球半導(dǎo)體制造設(shè)備出貨額將時隔17年創(chuàng)新高

責任編輯:editor006

2017-12-13 16:05:45

摘自:環(huán)球科技

據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》12月13日報道,全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的市場規(guī)模將時隔17年創(chuàng)出歷史新高。針對半導(dǎo)體制造設(shè)備零部件供給不足的可能性常石哲男表示,“將與零部件供應(yīng)商合作,為避免零部件短缺推進準備工作”。

據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》12月13日報道,全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的市場規(guī)模將時隔17年創(chuàng)出歷史新高。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(SEMI)12月12日宣布,2017年的全球出貨額有望同比增長35.6%,達到559億美元。存儲器的增產(chǎn)投資保持堅挺,2018年有望同比增長7.5%。在日本企業(yè)方面,東京電子等半導(dǎo)體制造設(shè)備生產(chǎn)商已開始增強工廠。

東京電子以滿負荷運轉(zhuǎn)狀態(tài)應(yīng)對訂單增加,為提高生產(chǎn)效率將調(diào)整員工的倒班時間表。在半導(dǎo)體上形成電子電路的“蝕刻設(shè)備”制造商——東京電子宮城公司計劃2018年增設(shè)生產(chǎn)線,在2019年度內(nèi)將產(chǎn)能增加至約2倍。

伴隨“物聯(lián)網(wǎng)(IoT)”帶來的數(shù)據(jù)中心需求增加,半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的出貨額激增。能提升數(shù)據(jù)容量的3D垂直堆疊NAND閃存和DRAM存儲器表現(xiàn)強勁,供給持續(xù)不足。

尤其是生產(chǎn)3D垂直堆疊NAND閃存所需的特殊制造設(shè)備出現(xiàn)短缺,形成了存儲器企業(yè)爭搶美國泛林集團和東京電子的制造設(shè)備的格局。居全球首位的韓國三星電子在存儲器方面的設(shè)備投資規(guī)模將達到1萬億日元。

從各地區(qū)的出貨額(2017年預(yù)期)來看,韓國同比增至2.3倍,達到179億美元,排在首位,比臺灣高出約53億美元。此前由于臺灣積體電路制造(簡稱臺積電、TSMC)的拉動作用,臺灣曾連續(xù)5年居首位。在中國大陸方面,由于國內(nèi)企業(yè)和美國英特爾、三星等外資巨頭加強投資,繼2016年之后仍居第3位。

國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會預(yù)測稱,考慮到數(shù)據(jù)流通量的增加、人工智能(AI)的普及以及汽車大量采用電子零部件等因素,半導(dǎo)體行業(yè)2018年仍將維持強勁的設(shè)備需求。制造設(shè)備行業(yè)因火爆行情而沸騰,但也存在死角。隨著半導(dǎo)體廠商的成品率提高,存儲器短缺狀況將得到緩解,產(chǎn)品價格有可能開始下降。

東京電子的會長常石哲男預(yù)測稱,設(shè)備需求將保持強勁,但如果成品率改善等取得進展,“有可能出現(xiàn)存儲器供應(yīng)過剩和制造設(shè)備需求下降”。針對半導(dǎo)體制造設(shè)備零部件供給不足的可能性常石哲男表示,“將與零部件供應(yīng)商合作,為避免零部件短缺推進準備工作”。

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