明年NAND flash究竟是漲是跌，多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報告，開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進，預測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議，高喊各方錯看，明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。

韓媒BusinessKorea 5日報導(見此)，IHS Markit報告預估，明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn)，預料供給將增39%至879億GB。 與此同時，明年全球NAND需求提高36.7%至2,424億GB，供給超出需求17億GB，供給過剩比率約為0.7%。

盡管NAND轉(zhuǎn)跌，DRAM價格仍旺，業(yè)界人士說，三星也許會減產(chǎn)NAND、增產(chǎn)DRAM。 美系外資附和此一看法，推測三星平澤廠的二樓產(chǎn)線，可能從生產(chǎn)NAND改為生產(chǎn)DRAM。 若真是如此，該外資預估，明年NAND供給將短缺0.7%，供不應(yīng)求情況到明年第三、四季更為嚴重，將分別短缺2%、3.2%，吃緊情況為去年第四季以來之最。

部分觀察家則說，另一個可能影響產(chǎn)出的因素是制程轉(zhuǎn)換的技術(shù)問題，也許會讓增產(chǎn)幅度小于預期。 技術(shù)難度不斷提高，過去六、七年來，業(yè)者投資規(guī)模大致維持不變，但是產(chǎn)出成長幅度卻減半。 隨著三星和SK海力士轉(zhuǎn)進3D NAND，結(jié)果或許好壞參半，壓縮成長增幅。

嘉實XQ全球贏家系統(tǒng)報價顯示，臺北時間5日上午9點36分，三星電子走低0.74%、報2,548,000韓圜。 SK海力士下跌1.01%、報78,300韓圜。

在此之前，另一韓媒也說，三星平澤廠二樓主要用于生產(chǎn)DRAM，但是警告此舉也許會讓DRAM供過于求。

韓媒etnews 4日報導，三星平澤廠區(qū)的半導體一號廠，共有兩層樓。 一樓設(shè)有餐廳和辦公室等，剩余空間較少，每月只能生產(chǎn)10萬組芯片。 二樓空間較多，每月可生產(chǎn)20萬組芯片。 二樓分為東西兩翼，東翼預定生產(chǎn)7萬組3D NAND flash和3萬組DRAM、西翼預定生產(chǎn)10萬組DRAM，三星不久后應(yīng)會下單采購DRAM設(shè)備。

報導稱，要是三星加快投資腳步，并決定把二樓多用于生產(chǎn)DRAM，DRAM可能供過于求，價格由漲轉(zhuǎn)跌。 業(yè)界人士說，內(nèi)存價格取決于三星投資速度;不僅如此，三星的西安廠可能也會投資增產(chǎn)(應(yīng)為NAND flash)，料于2018年底或2019年啟動。