沒有EUV 半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢就「難產(chǎn)」?

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2017-11-14 14:42:55

摘自:中國電子報

國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。賽迪智庫半導(dǎo)體研究所副所長林雨就此向《中國電子報》記者解釋:“光刻是芯片制造技術(shù)的主要環(huán)節(jié)之一。

國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)(EUV)的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體宣稱,國外政府將對中國購買EUV實施限制,更是吸引了大量公眾的目光。一時之間,仿佛EUV成為了衡量中國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的標(biāo)桿,沒有EUV就無法實現(xiàn)半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢。以目前中國半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展水平,購買或者開發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要?中國應(yīng)如何切實推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?

 沒有EUV,半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢就「難產(chǎn)」?

   沒有EUV,半導(dǎo)體強(qiáng)國之夢就「難產(chǎn)」?

EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)

所謂極紫外光刻,是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù),它采用波長為10~14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長降到13.5nm,這不僅使光刻技術(shù)得以擴(kuò)展到32nm工藝以下,更主要的是,它使納米級時代的半導(dǎo)體制造流程更加簡化,生產(chǎn)周期得以縮短。

賽迪智庫半導(dǎo)體研究所副所長林雨就此向《中國電子報》記者解釋:“光刻是芯片制造技術(shù)的主要環(huán)節(jié)之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻機(jī)進(jìn)行的。然而193nm浸沒光刻技術(shù)很難支撐40nm以下的工藝生產(chǎn),因此到了22/20nm及以下工藝節(jié)點(diǎn),芯片廠商不得不將193nm液浸技術(shù)和各種多重成像技術(shù)結(jié)合起來使用,以便突破工藝極限。但是采用多重成像的手段就需要進(jìn)行多次光刻、蝕刻、淀積等流程,無形中提升了制造成本,拉長了工藝周期。”

因此,EUV技術(shù)實質(zhì)上是通過提升技術(shù)成本來平衡工序成本和周期成本。例如,按照格羅方德的測算,啟用EUV技術(shù),在7nm和5nm節(jié)點(diǎn),都僅需要1個光罩即可生產(chǎn)。這樣理論上來說,就可以起到簡化工藝流程,減少生產(chǎn)周期的作用。

對此,芯謀研究總監(jiān)王笑龍便指出:“EUV技術(shù)的研發(fā)主要是針對傳統(tǒng)工藝中多次曝光等繁瑣問題。在過去的技術(shù)中,曝光過程可能重復(fù)2~3次,但是EUV技術(shù)可以一次完成,既減少了工序,又節(jié)約了時間。在簡化工藝流程、縮短生產(chǎn)周期的同時,EUV也增加了產(chǎn)能,提升了效率。”

中國購買為時尚早

針對EUV,在國內(nèi)流傳著一種聲音:受西方《瓦森納協(xié)議》的限制,中國只能買到ASML的中低端產(chǎn)品,出價再高,也無法購得ASML的高端設(shè)備。日前,ASML中國區(qū)總裁金泳璇在接受《中國電子報》記者采訪時否認(rèn)了這一說法。據(jù)金泳璇透漏:“國內(nèi)某知名半導(dǎo)體晶圓廠現(xiàn)已與ASML展開7nm工藝制程EUV訂單的商談工作,第一臺EUV設(shè)備落戶于中國指日可待。”

這就是說,EUV要進(jìn)口到中國并沒有受到限制。但是,EUV技術(shù)進(jìn)入中國最大的問題可能并非受限與否,而是有沒有必要現(xiàn)在購買?由于EUV開發(fā)的技術(shù)難度極高,特別是EUV光源的功率不足,導(dǎo)致曝光時間過長,使得EUV一直很難得到實用,目前國際上EUV技術(shù)較為成熟的企業(yè)只有ASML一家,其銷售的EUV價格極為高昂,一臺售價超過1億歐元。而目前EUV的主要應(yīng)用范圍是7nm以下工藝節(jié)點(diǎn),尤其5nm工藝節(jié)點(diǎn)的晶圓制造。

“對于國內(nèi)制造企業(yè)而言,芯片制造的工藝水平還達(dá)不到EUV所擅長的范圍,目前我們28納米量產(chǎn),14納米還在布局。對于EUV而言,如果采用該技術(shù)進(jìn)行14nm芯片量產(chǎn),成本太高了。”林雨指出。

王笑龍也認(rèn)為EUV技術(shù)對于中國來說仍是一項挑戰(zhàn)。王笑龍介紹,EUV主要是從7nm開始,目前國內(nèi)暫時沒有這項技術(shù)的應(yīng)用。國內(nèi)集成電路較為落后,尚未達(dá)到EUV技術(shù)的先進(jìn)水平,國內(nèi)的一些企業(yè)尚未對該項技術(shù)產(chǎn)生一定的支撐作用。“EUV進(jìn)入中國可能是多年以后的事情,目前國內(nèi)28nm才剛開始,14nm大概要2020年,那么7nm技術(shù),最壞的預(yù)測可能是2025年,并且中國技術(shù)較為落后,追趕先進(jìn)技術(shù)會產(chǎn)生高額費(fèi)用,暫時尚無足夠資金支撐這項技術(shù)。”王笑龍說。

實用化挑戰(zhàn)當(dāng)前依然存在

事實上,不僅中國對EUV的應(yīng)用時日尚早,國際上對EUV的應(yīng)用也局限在很小的范圍。對于EUV產(chǎn)業(yè)化過程中最大的挑戰(zhàn),林雨表示主要來自于光源和持續(xù)生產(chǎn)率。“例如,250W光源是使EUV可用于芯片量產(chǎn)的關(guān)鍵要素。到目前為止,ASML公司已經(jīng)推出多種采用80W光源的原型,預(yù)計將在年底推出其首款125W系統(tǒng)。目前,250W光源主要存在于實驗階段,用于產(chǎn)業(yè)化流程中所急需突破的問題是光源的可靠工作效率。據(jù)賽迪智庫調(diào)查了解,Gigaphoton正在幫助ASML生產(chǎn)這種光源。”林雨說。

根據(jù)ASML不久前公布的數(shù)據(jù),2017年EUV設(shè)備全年出貨量僅有12臺,預(yù)計明年出貨量將增加至20臺,而現(xiàn)在客戶未出貨訂單為27臺。日前,ASML公司將EUV光刻機(jī)小范圍量產(chǎn),所配用的是業(yè)內(nèi)人士翹首以盼的250W光源,計劃于2017年年底完成設(shè)備產(chǎn)品化。

除此之外,耗電量和曝光速度也是EUV技術(shù)的實踐者需要征服的挑戰(zhàn)。“光刻膠和光照膜是傳統(tǒng)工藝中使用到的材料,現(xiàn)在已經(jīng)不適應(yīng)EUV技術(shù)的發(fā)展。此外,EUV技術(shù)還面臨耗電量大等問題。EUV目前的曝光速度與人們的期望還有一定差距。假如傳統(tǒng)工藝一次曝光用1小時,整個過程共需4次曝光,一共要4小時,EUV技術(shù)只需要一次曝光,預(yù)期耗費(fèi)1小時便可以完成,但是現(xiàn)實中卻需要3小時左右。”王笑龍說。

成本高也是EUV技術(shù)的一個難題。“EUV技術(shù)研發(fā)投入的資金量很大,技術(shù)昂貴,設(shè)備稀少。如果這些問題得不到改善,那么這項技術(shù)將無法得到實用。鑒于以上所述,EUV技術(shù)既是挑戰(zhàn),也是機(jī)遇。”王笑龍說。

長期戰(zhàn)略,中國不應(yīng)缺位

盡管EUV現(xiàn)在還存在各種障礙,但是其未來應(yīng)用前景依然各方被看好。從長遠(yuǎn)角度來看,發(fā)展EUV技術(shù)是非常必要的。對此,林雨指出:“自上世紀(jì)九十年代起,中國便開始關(guān)注并發(fā)展EUV技術(shù)。最初開展的基礎(chǔ)性關(guān)鍵技術(shù)研究主要分布在EUV光源、EUV多層膜、超光滑拋光技術(shù)等方面。2008年‘極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝’國家科技重大專項將EUVL技術(shù)列為下一代光刻技術(shù)重點(diǎn)攻關(guān)?!吨袊圃?025》也將EUVL列為了集成電路制造領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)對象,并計劃在2030年實現(xiàn)EUV光刻機(jī)的國產(chǎn)化。”

“目前來看,EUV這項技術(shù)對中國尚無實際意義,但是具有一定的戰(zhàn)略意義。中國雖然技術(shù)落后,研發(fā)EUV技術(shù)困難頗多,但是仍要發(fā)展完整的工業(yè)體系,EUV是整套體系中最困難的一塊。放眼于未來,中國的技術(shù)最后還是會到達(dá)高水平層次,7nm技術(shù)也會得到應(yīng)用,這一步勢必要走,所以現(xiàn)在的準(zhǔn)備工作是一定要做的,努力減小未來中國與世界的差距,所以即使如今技術(shù)不成熟、制作設(shè)備缺少、但是EUV技術(shù)還是要加大關(guān)注,為未來我國技術(shù)做鋪墊。”王笑龍說。

雖然國家政策對于先進(jìn)的EUV技術(shù)給予了研究支持,但是中國在光刻行業(yè)的技術(shù)、人才等積累還很薄弱。追逐國際領(lǐng)先者,中國必將付出更大的精力和更多的資金。“對于中國來說,這項技術(shù)的基礎(chǔ)薄弱,制作設(shè)備稀缺,光學(xué)系統(tǒng)也會是極大的挑戰(zhàn),可以這么比喻,在中國,做EUV要比做航空母艦困難得多。”王笑龍說。

因此,針對于中國EUV技術(shù)的發(fā)展,王笑龍給出了一些建議。“追求實用技術(shù)是企業(yè)的本能,追求最新技術(shù)卻不符合企業(yè)效益。因此對于先進(jìn)的EUV技術(shù),光靠企業(yè)和社會資本是無法支撐起來的,對于企業(yè)來說,研發(fā)技術(shù)缺少資金的支持;對于社會資本來說,缺乏熱情的投入,因此,這項技術(shù)需要政府的支持,需要國家政策的推進(jìn)。”王笑龍說。

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