《日本經(jīng)濟(jì)新聞》7月18日稱，預(yù)計(jì)2017年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的銷售額將超越2000年的IT泡沫時(shí)期，創(chuàng)下歷史新高。美國的半導(dǎo)體制造設(shè)備行業(yè)團(tuán)體——國際半導(dǎo)體制造設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)披露了上述消息。三星電子等韓國存儲(chǔ)器巨頭的設(shè)備投資將對(duì)需求起到牽引作用。按國家和地區(qū)來看，此前是韓國和臺(tái)灣競爭榜首位置。但2018年中國大陸的半導(dǎo)體投資將增至與韓臺(tái)并肩的規(guī)模，半導(dǎo)體投資或?qū)⑦M(jìn)入“中韓臺(tái)”三強(qiáng)時(shí)代。

　　三星擁有全球最尖端的半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)(中國西安的存儲(chǔ)器工廠)

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月11日，SEMI發(fā)布預(yù)測顯示，2017年半導(dǎo)體制造設(shè)備的全球銷售額將同比增長19.8%，增至494億美元，超過2000年的476億美元。2018年還將進(jìn)一步增長8%，增至532億美元，首次突破500億美元。

拉動(dòng)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場擴(kuò)大的主角是NAND型閃存。作為智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心的存儲(chǔ)設(shè)備，市場需求不斷擴(kuò)大。三星電子2016年在這方面投資約1萬億日元，其專務(wù)董事李明振表示，“2017年要進(jìn)一步增加”。韓國SK海力士則利用在DRAM型閃存上獲得的利潤增產(chǎn)NAND型閃存。

存儲(chǔ)器技術(shù)迎來過渡時(shí)期，將進(jìn)入縱向排列大容量化的“三維存儲(chǔ)器”時(shí)代，向新型設(shè)備的升級(jí)換代起到助推作用。野村證券分析師和田木哲哉表示，“由于數(shù)據(jù)爆發(fā)式增長，存儲(chǔ)器嚴(yán)重不足?；钴S的行情至少持續(xù)到2018年上半年”。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在一個(gè)“硅周期”，市場行情每3~5年會(huì)在景氣和低迷之間轉(zhuǎn)換。有觀點(diǎn)傾向于認(rèn)為目前已經(jīng)超越這一起伏，進(jìn)入到需求呈跨越式增長的“超級(jí)周期”階段。

按國家和地區(qū)來看，韓國擁有兩家大型存儲(chǔ)器企業(yè)，預(yù)計(jì)其半導(dǎo)體投資額將在2017年同比增長70%，增至129億美元，首次成為全球最大市場。由于全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺(tái)灣積體電路制造(TSMC)的最尖端投資，臺(tái)灣的半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額也將持續(xù)超過百億美元。

中國大陸也將加入競爭。預(yù)計(jì)2018年的投資額將比2017年增長60%，增至110億美元，超越臺(tái)灣升至第2位。與5年前的2013年相比，投資額猛增至超過原來3倍。

以清華大學(xué)創(chuàng)辦的紫光集團(tuán)等為母體的長江存儲(chǔ)科技在中國政府2萬億日元(約合人民幣1197.86億元)規(guī)模資金的扶持下，將在湖北武漢建設(shè)全球上最大級(jí)別存儲(chǔ)器工廠。紫光董事長趙偉國表示，2020年要進(jìn)入全球頂級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的行列。

在2000年代之前，日本的半導(dǎo)體投資一直處于領(lǐng)先位置，但目前的規(guī)模只占全球的10%左右。比較知名的投資項(xiàng)目只有東芝的四日市工廠，作為市場的存在感薄弱。