任何國家都有權決定自身的發(fā)展策略，而中國決心發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)由來已久。中國每年進口芯片的金額達到千億美元數(shù)量級，自主生產(chǎn)只有近10%，想要改變這種不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事情。因此，某些西方論點把矛頭指向中國半導體業(yè)，稱中國是“攪局者”是不公平的。

　　矛頭指向中國有失公允

日經(jīng)中文網(wǎng)近期報道稱，世界的半導體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進來，指責中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導體市場混亂的風險因素。

任何國家都有權決定自身的發(fā)展策略，而中國決心發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)由來已久。中國每年進口芯片的金額達到千億美元數(shù)量級，自主生產(chǎn)只有近10%，想要改變這種不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事情。因此，無論日經(jīng)中文網(wǎng)，或是某些西方論點，把矛頭指向中國半導體業(yè)，稱中國是“攪局者”都是不公平的。

客觀地說，近期中國發(fā)展半導體業(yè)采取的策略與之前有所不同，抓住了事關產(chǎn)業(yè)命脈的資金問題。“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”（以下簡稱大基金）釆用入股企業(yè)的方法，并要求投資取得回報，與國際上通行的作法相一致，只是在規(guī)模上和時間點上讓國外同行感覺“來勢洶洶”而已。即便如此，大基金的投資規(guī)模與幾家全球領先公司如三星、臺積電等相比也是相形見絀的。

市場競爭與攪局者

只要是公平的市場競爭，“攪局者”可以改變行業(yè)現(xiàn)狀，推動市場競爭在新的態(tài)勢下達到新的平衡。這是產(chǎn)業(yè)進步的表現(xiàn)。

觀察全球半導體業(yè)的發(fā)展歷程可以發(fā)現(xiàn)，“攪局者”并不少見。如全球代工業(yè)中，三星異軍突起，就可被看作是“攪局者”。三星揚言今年的代工營收要超過居第二位的格羅方德，并要與代工老大臺積電比拼高下，顯見三星是想要改變全球代工的競爭格局。

在半導體設備業(yè)方面，ASML表示其EUV光刻機將很快步入實用化，在兩年內光源功率提升至產(chǎn)業(yè)要求的250瓦水平，目前已在全球安裝了14臺，客戶包括英特爾、三星、臺積電及格羅方德，未來尚有21臺等待發(fā)貨，其中英特爾是大客戶。

眾所周知，觀察全球半導體業(yè)的發(fā)展進程，先進工藝制程競賽一直是”熱點”，臺積電、三星、英特爾，甚至格羅方德都不甘落后。目前，采用浸液式光刻方法已可達7納米，將于2018年實現(xiàn)量產(chǎn)，但是這種工藝要使用三次或者四次圖形曝光工藝，大大增加了生產(chǎn)周期與成本。如果改用EUV光刻工藝，將有效地簡化產(chǎn)品設計，與三次或者四次圖形曝光工藝相比較，成本方面可能節(jié)省。因此EUV光刻工藝的導入，在全球半導體業(yè)發(fā)展中是一次質的飛躍，是延伸“摩爾定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名，并對未來半導體業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠影響。所以EUV光刻設備的導入也可看作是一個“攪局者”，而且是一個強有力的“攪局者”。

因此，對于“誰是攪局者”不能有“雙重標準”，應該一視同仁，從根本上它們可能都是推動半導體業(yè)持續(xù)進步的動力源。

中國加入存儲器行列

從半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史來看，凡是打“翻身仗”都是從存儲器入手，并已經(jīng)成功實現(xiàn)過兩次：一次是日本半導體的發(fā)展，另一次是韓國半導體的成長。

如今，中國半導體想要崛起，發(fā)展存儲器是一條值得嘗試的路徑。當然，中國的目的與此前日韓并不完全相同，主要目的并不是想要超越韓國存儲器老大的位置。此次中國存儲器的發(fā)展，主要是為了自用，目的是提高芯片的國產(chǎn)化率。

據(jù)集邦咨詢（TrendForce）的數(shù)據(jù)，2016年全球存儲器銷售額超過800億美元，而中國市場消耗25%以上。中國半導體產(chǎn)業(yè)為了減少進口，增加國產(chǎn)化率，目前有三股力量，包括長江存儲、合肥睿力及福建晉華，分別聚焦不同的存儲器產(chǎn)品。就目前的進度來看，三家都處在建廠及技術與人才準備階段，離量產(chǎn)尚有一段距離，尚不能言及最終成功。

近20年來，全球半導體領域不乏退出存儲器業(yè)的廠商，如德國奇夢達倒閉，美光兼并日本的爾必達等，但鮮有新加入者。這反映出全球存儲器業(yè)的入門門檻高，競爭激烈。所以此次中國半導體業(yè)進軍存儲器引起國外同行的警覺也是合乎情理的，而中國半導體業(yè)自主發(fā)展存儲器的要求是合理的。

在全球存儲器業(yè)中，競爭變得更為激烈。一方面是DRAM繼續(xù)向1x納米進軍，從縮小尺寸角度來看，15納米可能是極限，三星肯定走在最前面，目前它擁有DRAM及NAND閃存產(chǎn)能各有40萬片（按12英寸晶圓計）。而另一方面，在2DNAND向3DNAND轉移中，三星、美光、東芝、西數(shù)、海力士等都揚言近期要開始64層3DNAND的量產(chǎn)出貨，并全力向96層3DNAND挺進。而中國的長江存儲是一個“新進者”，它僅是可能于2018年出貨32層3DNAND，與三星等的差距至少2代以上。

分析天時、地利與人和，中國似乎都具備了一定的條件，但是要實現(xiàn)存儲器芯片制造的突破必須十分清醒，僅擁有廣大的市場與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功，還需要有專業(yè)人才的配合及詳盡的專利應對策略，并要有一股氣勢與勇氣，關鍵是能把制造成本降下來，同時還需要加強芯片生產(chǎn)線的嚴格管理。

到目前為止，對于中國存儲器業(yè)的突破，外界似乎并不看好。然而，在全球存儲產(chǎn)業(yè)進行大轉移的時刻，中國半導體業(yè)應勇于加入，力爭能得到公平競爭的機會。而且，現(xiàn)階段盡管中國半導體業(yè)有三股力量在集結，但是理性分析，在2020年之前這些芯片生產(chǎn)線仍處在產(chǎn)能爬坡階段，銷售額都不會太高。

全球存儲器業(yè)總是周期性起伏的，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功。分析機構Gartner按以往的經(jīng)驗進行了預測，認為2019年時存儲器業(yè)可能進入下降周期。顯然中國的存儲器業(yè)不可能趕上2019年之前的榮景了，只能把希望寄托于在下一波存儲器的上升周期中，能有令人滿意的表現(xiàn)。

中國半導體業(yè)在存儲器中突破，首先是為了滿足自用需求，與先進廠商之間尚有很大差距，目前也不具備挑戰(zhàn)臺積電、三星及英特爾等巨頭的實力。由于中國的加入，全球存儲器業(yè)中后幾位的排名可能會發(fā)生改變。

同時要強調的是，中國半導體業(yè)必須十分淸醒，一定要穩(wěn)步前進，尊重知識產(chǎn)權，與全球存儲器業(yè)者開展公平的競爭成為受同行尊敬的“攪局者”。