存儲器供不應(yīng)求情況改善、價(jià)格漲勢趨緩，不少人憂心好景不再。但是兩家外資出面喊多，預(yù)測存儲器會一路旺到 2018 年，美光（Micron）等將受惠。

　　巴倫周刊（Barronˋs）兩篇報(bào)導(dǎo)稱，摩根士丹利（大摩）分析師 Joseph Moore 14 日報(bào)告稱，他們和運(yùn)算端客戶談話發(fā)現(xiàn)，存儲器短缺情況好轉(zhuǎn)，不過市場仍然暢旺，云端客戶估計(jì)供給會一路吃緊到明年，今年第四季行動 DRAM 價(jià)格將續(xù)漲。此外，當(dāng)前 DRAM 和 NAND 現(xiàn)貨價(jià)走勢持平，但是仍高于合約價(jià)。

　　Stifel Nicolaus 分析師 Kevin Cassidy 參加美國加州 Santa Clara 的快閃存儲器峰會，注意到 NAND 持續(xù)短缺。Cassidy 報(bào)告稱，盡管資本開支飆升，與會者仍大談 NAND Flash 供給吃緊。這是因?yàn)榻?jīng)費(fèi)主要用于增加晶圓層數(shù)，而非晶圓產(chǎn)能，預(yù)估 NAND Flash 供不應(yīng)求情況會延續(xù)到 2018 年。

　　Cassidy 指出，美光具有優(yōu)勢。報(bào)告稱，美光 Flash 存儲器的成本結(jié)構(gòu)大幅改善，未來還會繼續(xù)降低。美光重申該公司 3D NAND die 尺寸為業(yè)界最小，成本更具競爭力。美光 3D NAND die 體積小，是因采用浮閘式（Floating Gate）架構(gòu)，此種架構(gòu)常用于平面 NAND。三星、東芝、SK 海力士（SK hynix）則采電荷捕捉層式（Charge Trapping Layer）架構(gòu)。