三星為攀上全球半導(dǎo)體龍頭，不惜砸重金拼了，傳今年資本支出將大幅加碼逾十萬億韓元。
新韓投資（Shinhan Investment Corp）日前發(fā)布報告預(yù)測，三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴增至 24.5 萬億韓元（約 219.5 億美元），較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 萬億韓元成為三星史上新高。（businesskorea.co.kr）
存儲器目前供不應(yīng)求，也是三星今年布局的重點，預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 萬億韓元（約 108 億美元），非存儲器部門（包含晶圓代工）則占 8 萬億韓元。
三星 NAND 快閃存儲器量產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)先，分析師看好三星借由新增投資，可趁機擴大市占率。市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)顯示，三星 2016 年第四季 NAND 存儲器營收市占達 37.1%，遙遙領(lǐng)先第二名東芝的 18.3%。
市調(diào)機構(gòu) IC Insights 月初公布報告指出，如果存儲器持續(xù)漲價，三星最快于第二季取代英特爾成為全球半導(dǎo)體龍頭。
京公網(wǎng)安備 11010502049343號