紫光集團最近披露一項計劃，表示將投資300億美元在中國南京興建記憶體芯片制造體系——這一決定相當令人意外，甚至相當一部分中國業(yè)界觀察家亦表示震驚。此項舉措面臨著一大令人頭痛的難題，因為盡管已經(jīng)在武漢建立有XMC等設施，但中國的記憶體生產(chǎn)能力仍存在諸多不確定因素。

不過紫光集團所作出的聲明已經(jīng)充分顯示了中國在全球記憶體領域迎頭趕上，并最終占據(jù)統(tǒng)治地位的決心。

盡管仍面臨諸多挑戰(zhàn)，但中國抱持著積極的態(tài)度。而作為最大的難題，目前中國嚴重缺乏經(jīng)驗豐富的記憶體芯片工程師、專業(yè)的管理知識以及對美國對外在美投資審查委員會(簡稱CFIUS)的了解。

最近幾個月來，已經(jīng)有多筆中國對外投資計劃因CIFUS方面施加的壓力而暫?；虮环艞墶＿@種影響意味著中國企業(yè)幾乎已經(jīng)不可能收購國外芯片廠商及其股票。

中國媒體企業(yè)新浪最近援引紫光集團首席執(zhí)行官趙衛(wèi)國在本月早些時候的一項會議發(fā)言：

2016年年內(nèi)，我們開始在武漢建立記憶體制造基地。今年我們將在成都與南京建設另外兩座半導體生產(chǎn)基地。這三大項目的總體投資額已經(jīng)超過700億美元。紫光集團將肩負起IC產(chǎn)業(yè)的未來。紫光集團正在逐步加強發(fā)展規(guī)劃。然而亦有評論家指出，建設晶圓制造工廠是一回事，真正運營特別是實際生產(chǎn)又是另一回事——尤其是考慮到3D NAND閃存芯片這一極為復雜的世界性制造難題。半導體工程師出身技術顧問及多本日本半導體產(chǎn)業(yè)論著作者Takashi Yunogami此前在武漢的3D NAND閃存代工設施中擔任負責人。不久前剛剛卸任的他在本周接受采訪時指出，他相信中國已經(jīng)擁有充足的原材料及半導體制造設備供應，能夠支撐起屬于自己的芯片行業(yè)。

一場人才、設備與資金的戰(zhàn)爭

著眼于如今的中國，Yunogami表示一場針對工程技術人才以及半導體設備(目前部分用于設計并制造NAND閃存的設備仍存在短缺)的爭奪戰(zhàn)已經(jīng)打響。另外值得注意的是，幾乎每一座城市都在努力邀請企業(yè)在這里建立半導體晶圓制造廠。

在對中國的記憶體生產(chǎn)環(huán)境進行進一步分析之前，我們首先來回顧那些正處于發(fā)展上升期的中國本土廠商。

IC Insights公司市場研究副總裁Brian Matas于去年年末列出了中國最為重要的三家廠商：

XMC于2016年7月被紫光集團所收購，并成立新的揚子江存儲技術股份公司。其突破性地打造出新的300mm 3D NAND閃存代工設施，并計劃于2017年年末或者2018年年初正式上線。

Sino King技術公司，計劃于2017年年末在合肥完成其DRAM代工廠的建設工作。

福建金華集成電路有限公司計劃建立DRAM晶圓制造廠，并將于2018年第三季度正式投入生產(chǎn)。

Sino King或將出局?

在這三家企業(yè)當中，我們了解到Sino King最有可能不再進行積極運營。

Yukio Sakamoto

這家由爾必達公司前任CEO Yukio Sakamoto創(chuàng)立的企業(yè)希望從日本、臺灣及韓國招聘1000名芯片工程師，希望借此解決中國缺少經(jīng)驗豐富的半導體工程師這一現(xiàn)實問題。盡管Sino King方面高潮找到了180名愿意搬往中國的日本工程師，但最終Sakamoto在合肥會見中國投資者時這一決定受到堅決抵制——投資方拒絕為這些高級工程師支付達88萬7千美元的高昂薪水。

盡管Sino King給出的薪酬承諾確實超出了半導體行業(yè)的正常水平，但必須承認的是，考慮到中國對于相關專業(yè)知識的極度渴求，以這樣的代價換取制造設施的正常運轉并非不可理解。

在上個月接受采訪時，一位硅谷芯片企業(yè)高管強調(diào)中國缺乏的并不是技術專利，而是切實可行的“制造技術”。其中包括從人員培訓到設施建設再到存儲晶圓生產(chǎn)的一系列流程。他表示，“這些知識無法買到，而只能學到。”

Yunogami對此表示認同。根據(jù)負責提供半導體設備的消息人士所言，XMC(目前已經(jīng)被并入YRST)一直堅持表示，各供應商為武漢制造設施提供的設備與三星在西安的代工廠完全一致，而后者正是韓國電子巨頭生產(chǎn)32層NAND閃存設備的地點。(三星公司目前正在韓國本土制造64層垂直NAND記憶體。)

Yunogami指出，“XMC方面能夠買到基于同一規(guī)格的設備，但他們無法真正對其加以運行——除非人們學會怎樣使用。”

不過這些問題最終總會得到解決。正如這位硅谷高管在采訪中所言，“中國需要從韓國身上學習經(jīng)驗。”而這也正是中國目前采取的解決辦法。

作為第一步舉措，XMC方面從三星公司在西安的制造基地重金挖走了近1000名工作人員。此外，XMC公司還一直在從三星及SK-海力士處物色高級工程師。另外，XMC還從東芝與美光等廠商處獲得了不少內(nèi)部技術信息。

Yunogami此前也經(jīng)歷過這樣的情景。事實上，三星公司當初就曾利用這樣的手段追趕日本的DRAM制造行業(yè)，他解釋稱。

上世紀九十年代，三星公司重金招募日本DRAM工程師。這些工程師一邊在日本繼續(xù)工作，一邊在周末以極高的薪酬幫助三星發(fā)展相關技術。事實上，當時首爾與東京間的周末航班擠滿了這些日本工程師。

二十年之后，韓國也面臨著中國的積極追趕。盡管Sino King的策略并未為中國的投資者們所完全接受，但XMC仍然在武漢挖到了大量來自西安的三星工程師。

XMC武漢設施發(fā)展進度

作為XMC的母公司，YRST宣稱其計劃投入240億美元建立300mm代工生產(chǎn)線。工程項目的第一階段開始于2016年年末，且整套代工體系計劃于2019年建設完成。

報道同時指出，YRST的制造能力將達到約每月30萬塊晶圓，其可被用于進一步生產(chǎn)32層3D NAND閃存芯片。

XMC武漢記憶體代工廠工地前的效果圖。(圖片來源: Takashi Yunogami)

Yunogami認為YRST確實取得了良好的發(fā)展進度。通過利用Spansion公司的Mirror-Bit技術(最初面向NOR開發(fā)，隨后被三星用于開發(fā)NAND芯片)，XMC公司已經(jīng)于去年年末完成了其第一輪與第二輪32層3D NAND閃存的測試性生產(chǎn)。Yunogami表示，第一批測試性產(chǎn)品于去年11月中旬出爐，且完全合格率“為零”(與預期一致)。而12月的第二批測試生產(chǎn)中，同樣沒有任何一款設備能夠完全實現(xiàn)預期規(guī)格。不過應該已經(jīng)有一部分設備能夠在較低規(guī)格之下正常運作，Yunogami表示。

XMC方面似乎已經(jīng)走上了記憶體生產(chǎn)工作的正常學習曲線。

這座新的記憶體晶圓工廠肩負著：“集全球資源，打造我國自主可控的世界級存儲器產(chǎn)業(yè)基地”的使命。 (圖片來源: Takashi Yunogami)

南京設施破土動工

然而就在YRST仍在武漢進行NAND早期開發(fā)摸索時，為何紫光集團要急于在另一座城市加緊建立另一套記憶體代工設施?

事實上，相當一部分中國專家對此也并不理解。

關于此事，東西方中心高級研究員Dieter Ernst用于24小時以確認紫光集團同南京市政府之間簽訂的諒解備忘錄。他解釋稱，“根據(jù)這份備忘錄，紫光集團將投資300億美元(資金來源尚不明確)在南京建立起一座可月生產(chǎn)30萬片DRAM或者NAND晶圓的代工廠。而除了于武漢建立的月產(chǎn)30萬片晶圓的代工廠外，紫光集團亦計劃在成都投資280億美元建立月晶圓生產(chǎn)能力達50萬片的先進邏輯代工體系。”

不過為什么要如此激進?對于紫光集團來說，這樣的投資計劃是否太過魯莽?

在交談當中，這位硅谷芯片企業(yè)高管承認，“要對整個事態(tài)進行梳理確實令人比較頭痛。但我的個人觀點時，要了解中國，我們需要跟著資金前進。”

他表示，“在中國，中央政府主導著資金的走向。這就像是一筆專項補貼。雖然存在監(jiān)管，但其對于利潤回報的要求并不強烈。說到要求，中央政府只是要求地方政府及私營行業(yè)必須貢獻投資總額中的一半以上。”

換句話來說，這似乎意味著中國共產(chǎn)黨整體領導下的國家也存在著一定程度的碎片化，各地方政府與城市之間充滿了競爭，而最終的勝出者才能享受到政策優(yōu)惠。

這位美國高管懷疑稱，“紫光集團這種高速大力發(fā)展的方法并未能在武漢取得全面成功。因此武漢很可能會在未來的發(fā)展規(guī)劃中略有收縮。”

與此同時，我們需要注意臺灣半導體制造公司(簡稱臺積電)作為全球規(guī)模最大的代工廠商擁有相當重要的地位。而其去年已經(jīng)于南京市政府達成協(xié)議，將建立其在中國大陸的第一座300mm晶圓代工廠。

“臺積電在南京討論建立代工廠的作法只是種障眼法，其并不會提供南京政府想要的代工規(guī)模(至少不會全部提供)，”這位美國高管提出假設。“由于不想在與武漢的一線城市競爭中落敗，我認為南京很可能想通過這種方式與武漢達成和解。”

西安、南京與武漢

根據(jù)紫光集團在南京公布的代工廠建設計劃，其定位似乎仍有回旋余地。他們表示，這座代工廠可能將負責生成“NAND或者DRAM”。

產(chǎn)能過剩的恐懼

而所有這些舉措都不可避免地引發(fā)憂慮，即中國是否會遭遇產(chǎn)能過剩問題。

去年，IC Insights公司的Matas寫道，“各企業(yè)計劃顯著提升3D NAND閃存的制造能力，其中包括三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk以及XMC/揚子江存儲技術公司外加一系列未來可能正式進入市場的中國新興廠商。”

Matas指出：“IC Insights認，未來3D NAND閃存市場很可能出現(xiàn)供過于求的風險。”

盡管Ernst對于人們立足五年周期對這一變化極快的行業(yè)進行預測的作法感到不解，但他同時表示“我們也可以假設中國對于記憶體領域的大量投資確實會引發(fā)DRAM及NAND的產(chǎn)能過剩情況。”

他同時反問道：“難道我們不歡迎這樣的發(fā)展嗎?這顯然能夠幫助下游用戶減少對于三星公司的依賴性。”

Ernst認為：

新的記憶體制造設施是必要的，但沒有多少企業(yè)擁有如此雄厚的資金實力。如果沒有新廠商的進入，該行業(yè)將繼續(xù)由三星公司所主導，這顯然是所有下游用戶不想看到的局面。如果中國對其施以援手，我們又為什么要對此感到擔憂?

他同時補充稱，“中國決定進軍半導體存儲器行業(yè)可能并不是最好的選擇，畢竟存儲行業(yè)是有名的錢老虎。每一代技術都需要耗費數(shù)十億美元進行開發(fā)，而其中相當一部分最終會‘邊緣化’而無法被大規(guī)模使用。”

Ernst的態(tài)度并不樂觀。他警告稱：“對于中國而言，這意味著數(shù)十年的艱苦奮斗并投入不計其數(shù)的金錢，而最終換來的只是種不確定性極高的潛在結果。”

但即使是這樣，正如他之前所談到，又有什么可擔憂的?