半夜睡不著，爬起床來走到陽臺(tái)去抽支煙，發(fā)現(xiàn)一只蟑螂，于是跟它聊了很長時(shí)間。把我對(duì)老婆的不滿，對(duì)上司的不爽，對(duì)老板的壓榨通通發(fā)泄給它聽。煙抽完了，于是我狠狠一腳踩死了它，睡覺了……沒辦法，它知道的太多了……

以上不過是筆者從網(wǎng)上轉(zhuǎn)載的一個(gè)笑話，之所以想拿這個(gè)笑話開頭，就在于本文也許回遭遇那只蟑螂的境遇。

本想踏實(shí)準(zhǔn)備春節(jié)放假的筆者，再一次紫光的消息所影響?？偼顿Y2600億元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目，昨日宣布正式落地。而一個(gè)月前，紫光集團(tuán)在成都砸下2000億元的紫光IC國際城項(xiàng)目。

到此，紫光集團(tuán)董事長趙偉國在此前宣布，將會(huì)投資投中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)總規(guī)模超過700億美元的投資已經(jīng)在武漢、成都、南京紛紛兌現(xiàn)。為此，他在昨天南京的簽約會(huì)上對(duì)外界表示：“紫光集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局已基本成型”。

不到兩年間，致力于中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)自主崛起的如此大規(guī)模投資應(yīng)當(dāng)是前無來者，自然可喜可賀。此后，各界頌揚(yáng)之聲一片，有的媒體甚至將紫光稱作中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的“脊梁”。在某種程度上這種評(píng)價(jià)并不為過，畢竟紫光集團(tuán)下轄的成都、武漢、南京存儲(chǔ)基地已經(jīng)是中國最大的存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目了。

在一片叫好聲中，我們也偶然會(huì)發(fā)現(xiàn)幾滴“冷水”，例如“存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)有風(fēng)險(xiǎn)投資需謹(jǐn)慎”之類的警示。不過這種話某種程度上和早上出門家人叮囑的“注意安全”一樣，相信的是百分之百的“安全”，“冷水”趨于隔靴搔癢。

然而，存儲(chǔ)制造產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目是把雙刃劍，讓紫光集團(tuán)花出去700億美金的時(shí)候收獲風(fēng)光無限，正如每次簽約儀式上政府領(lǐng)導(dǎo)都會(huì)因?yàn)樾碌腉DP蛋糕而喜笑顏開，但存儲(chǔ)業(yè)者，尤其是占有最大需求企業(yè)存儲(chǔ)市，很大會(huì)更加關(guān)系這種投資真的會(huì)如預(yù)期的那樣好么，而也許會(huì)是紫光倒下去的導(dǎo)火索。

所以說，“下一個(gè)倒下的會(huì)不會(huì)是紫光”，這種考慮并非那么不實(shí)際？

當(dāng)下需要這種投資么？當(dāng)然，毋庸贅言是肯定了。很多因素都在支撐個(gè)結(jié)論。大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、萬物互聯(lián)等需求加速了閃存把HDD趕下神壇的需求，而平面閃存又因摩爾定律對(duì)制程工藝的擠兌而讓位3D NAND。換句話說，這正是全球企業(yè)級(jí)應(yīng)用閃存產(chǎn)業(yè)技術(shù)供應(yīng)與市場需求剛起的年代，紫光集團(tuán)表示，這些半導(dǎo)體基地投資主要將用于生產(chǎn) 3D NAND Flash、DRAM 等內(nèi)存芯片，所以說，中國自主產(chǎn)業(yè)的此時(shí)切入自然是正當(dāng)其時(shí)了。

不過，還有個(gè)理由似乎沒太引起大家的注意。那就是，雖說全球3D NAND Flash已經(jīng)被三星、東芝/閃迪、美光/英特爾、海力士瓜分殆盡，但這種壟斷之勢(shì)的源頭在于他們獲得了先進(jìn)的3D NAND架構(gòu)技術(shù)。目前三星、東芝的3D NAND技術(shù)最早都是源自于飛索(Spansion)的Charge Trap架構(gòu)，接下來英特爾和美光在今年64層技術(shù)競爭的時(shí)候，也是要轉(zhuǎn)成Charge Trap架構(gòu)。紫光下的長江存儲(chǔ)在去年獲得了飛索在3D NAND架構(gòu)上的IP授權(quán)，這才是其入市的真正門票。

老話兒講，“好的開始是成功的一半”。不過，這張門票卻不能成為此時(shí)給紫光慶賀的理由，其反倒更像個(gè)燙手的山芋。

首先，這也許是個(gè)離看臺(tái)太遠(yuǎn)的門票。三星是最早獲得這種授權(quán)的，所以2013年其就研發(fā)出堆疊24層的3D NAND，同年就量產(chǎn) 48 層 3D NAND 內(nèi)存，從而使其在如今的閃存市場可謂是一騎絕塵的感覺。紫光與飛索合作的目標(biāo)在于共同研發(fā)32 層堆疊 3D NAND Flash，這就意味著未來武漢長江存儲(chǔ)為此彈冠相慶的時(shí)候，已經(jīng)被三星落后了很遠(yuǎn)了。

當(dāng)下，東芝、三星、sk海力士已經(jīng)在64層技術(shù)上磨刀霍霍，紫光勢(shì)必成為看客。更有甚者，長江存儲(chǔ)此前還專門發(fā)布新聞稿澄清，從未發(fā)布過 32 層 3D NAND Flash 今年量產(chǎn)的消息，目前連要生產(chǎn)的產(chǎn)品都還未有著落。

其次，飛索的IP授權(quán)會(huì)有多大價(jià)值。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最為薄弱的環(huán)節(jié)就在于IC設(shè)計(jì)，中國嚴(yán)重缺乏芯片核心設(shè)計(jì)的創(chuàng)新能力。為此，兩年前國務(wù)院發(fā)布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》首要任務(wù)和發(fā)展重點(diǎn)就在于“著力發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)業(yè)”，旨希望“以設(shè)計(jì)業(yè)的快速增長帶動(dòng)制造業(yè)的發(fā)展”。

紫光希望彎道超車，買來設(shè)計(jì)IP也是好事。畢竟可以期望，未來其可以有如今華為通過海思擠兌高通那種成就的出現(xiàn)。但筆者咨詢相關(guān)人士談到，存儲(chǔ)器的制造技術(shù)門檻更高，涉及到高深寬比的溝開挖、完全平行的側(cè)壁、在整個(gè)硅片面上均勻的淀積層等諸多技術(shù)壁壘，其中又涉及到關(guān)鍵制造設(shè)備等引入與掌握。顯然，這是一個(gè)有著高長期投入風(fēng)險(xiǎn)的行業(yè)。

紫光幾乎零基礎(chǔ)的產(chǎn)業(yè)進(jìn)入，挑戰(zhàn)毋庸贅言。而且，從2D轉(zhuǎn)向3D，制程工藝的要求放緩了，未來比拼的重點(diǎn)應(yīng)是堆疊技術(shù)?？梢圆捎酶鼮槌墒斓?D制程，這對(duì)紫光來說是優(yōu)勢(shì)，但如今大家都開始比拼64層堆疊工藝了，堆疊技術(shù)的競爭又會(huì)留給紫光多少機(jī)會(huì)呢？

也許，我們能在這上給予紫光更多希望，例如趙偉國一直希望戰(zhàn)略投資美光，我們或許期望美光成熟的3D NAND制造技術(shù)可以讓其拿來即用，至少可以降低投資成本。又或是，紫光與西數(shù)在南京聯(lián)合成立了合資公司，而西數(shù)繼續(xù)保持了與東芝在3D NAND研發(fā)上的合作關(guān)系，3D NAND制造也許在紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目上會(huì)是個(gè)很好的突破口。

再者，期望投入之后的產(chǎn)出能否適合那時(shí)的市場需求。

1）投資規(guī)模夠用么？例如，三星也正于京畿道平澤建設(shè)新廠，預(yù)定2017年上半啟用，第一期投資額15.6134億美元，建成后估計(jì)12寸晶圓月產(chǎn)量可達(dá)20萬片。而以紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地為例，其一期將投入約 100 億美元，目標(biāo)月產(chǎn)能約 10 萬片。且不論技術(shù)工藝能力如何，這種投入產(chǎn)業(yè)比的比較，意味著紫光在存儲(chǔ)制造上的投入還需要更具規(guī)模。還有，幾家巨頭在3D NAND生產(chǎn)投入上是從2D NAND制造生產(chǎn)線上轉(zhuǎn)型，例如三星在2016年將西安Fab 16工廠16nm MLC產(chǎn)線轉(zhuǎn)向48層V-NAND，而3D-NAND Flash的廠房新建等投資會(huì)遠(yuǎn)高于2D時(shí)數(shù)倍，這就更意味著投資3D NAND產(chǎn)業(yè)上巨頭們的優(yōu)勢(shì)未來會(huì)更佳顯現(xiàn)。

2）產(chǎn)能提升還重要么？針對(duì)企業(yè)級(jí)3D NAND Flash，除了市場缺口和技術(shù)應(yīng)用剛剛興起給中國留下機(jī)會(huì)外，產(chǎn)能也給中國留下了巨大的想象空間。但是，這個(gè)空間也面臨著巨大挑戰(zhàn)。例如，根據(jù)外媒報(bào)道，2017年三星新工廠Fab 17和Fab 18也都將投入V-NAND生產(chǎn)，3D技術(shù)也將向64層提升，預(yù)計(jì)三星V-NAND生產(chǎn)比重在2017年Q1可達(dá)到45%，Q2將達(dá)到50%以上，如今三星在2016年底V-NAND生產(chǎn)比重已突破35%。東芝計(jì)劃在未來3年內(nèi)投資額達(dá)8600億日元（75億美元），其中包括將在2017年3月開始建設(shè)的新工廠Fab 6，2018年Q3開始量產(chǎn)3D NAND，以及更新現(xiàn)有設(shè)備等。這或許意味著，長江、南京、武漢之后首先會(huì)是競爭對(duì)手在產(chǎn)能上的擠兌，即使目標(biāo)月產(chǎn)能約 10 萬片能實(shí)現(xiàn)。

3）紫光如何承受投資周期的漫長。NAND帶來的技術(shù)壁壘勢(shì)必導(dǎo)致投資周期的漫長，連現(xiàn)有巨頭都未能幸免。例如，英特爾在2015年3月宣布研制出了32層3D NAND技術(shù)，直到一年后的2016年4月才有產(chǎn)品現(xiàn)身，而此時(shí)三星已經(jīng)開始醞釀64層3D NAND 芯片的投產(chǎn)了，但東芝恐怕要到今年下半年才有量產(chǎn)64層的3D NAND能力。他們尚且如此，紫光的前途更會(huì)是荊棘坎坷。

綜上所述，投資存儲(chǔ)制造也既造就了紫光之美，也讓其背負(fù)了存儲(chǔ)之累。從這方面看，其挖角“臺(tái)灣RAM教父”的南亞科總經(jīng)理高啟全，中華電信前任董事長、臺(tái)積電前任首席執(zhí)行官蔡力行和臺(tái)聯(lián)電前任首席執(zhí)行官孫世偉等，似乎也只能算是完里長征第一步。

但不可否認(rèn)的是，當(dāng)前布局都是大基金的長尾，想象空間還是巨大的。