據(jù)外媒報(bào)道，作為對高帶寬內(nèi)存(HBM)的回應(yīng)，美光(Micron)正整備于明年為市場帶來GDDR6顯存。美光全球顯存事業(yè)部主管Kristopher Kido近期在Fudzilla的新聞中證實(shí)了此事。報(bào)道宣稱GDDR6將比主流的GDDR5快上一倍，速度在10-14 GB/s左右。相比之下，當(dāng)前主流的4GB GDDR5顯存大多在7 Gb/s(8GB芯片則在8 Gb/s)左右。
撇開速度不談，GDDR6顯存的形狀仍與GDDR5相似，因此可以減輕設(shè)計(jì)和制造過程中的成本和復(fù)雜性。
而Digital Trends則強(qiáng)調(diào)稱，在類似尺寸的情況下，HBM早就實(shí)現(xiàn)了較GDDR5翻倍的性能。此外，GDDR6不僅無法做到HBM那樣高效、也無法帶來相同級別的延遲。
最后，HBM 2.0即將在2016年的某個時候到來，屆時它又能夠借著更強(qiáng)性能和更高效率來繼續(xù)碾壓GDDR6了。
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