摘要：過去幾年時(shí)間里，英特爾雖然在桌面領(lǐng)域仍過著“無敵是多么空虛”的日子，但是圍繞其芯片制造技術(shù)的話題討論越來越多了，特別是與很多開始被人熟知的芯片制造廠商相比，比如臺(tái)灣的芯片制造商臺(tái)積電。很多話題討論的開始，均是基于每一次非英特爾芯片制造商對(duì)制造工藝的升級(jí)。

最初，臺(tái)積電和三星明確表示，將以最快的速度從“20 納米”過渡的“14/16納米”，而且將會(huì)重點(diǎn)發(fā)展稱之為“FinFET”的晶體管結(jié)構(gòu)器件，重點(diǎn)宣傳新工藝相比傳統(tǒng)而言芯片面積將得到大幅縮減，適配每一代工藝制程。

另一方面，當(dāng)時(shí)英特爾也正處于 22 納米工藝技術(shù)到 14 納米的過渡中，并且英特爾也掌握了第二代 FinFET（Tri-Gate）器件技術(shù)。不過，英特爾的動(dòng)作太慢了，導(dǎo)致三星和臺(tái)積電各自挑釁稱，其 16 和 14 納米已經(jīng)領(lǐng)先英特爾，而英特爾仍無法完全脫離 22 納米的工藝制程，并且還有事實(shí)證明，臺(tái)積電的 20 納米工藝的晶體管密度比英特爾的 22 納米更高。

英特爾從 22 納米過渡到 14 納米的時(shí)間實(shí)在過于漫長(zhǎng)，這點(diǎn)不假，而且英特爾也意識(shí)到了，在工藝制程技術(shù)同步發(fā)展的過程中，晶體管密度的競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)重要。事實(shí)上，面對(duì)民間乃至業(yè)界廣為談?wù)摰恼`導(dǎo)性話題，英特爾并沒有刻意的做任何回應(yīng)，但當(dāng)英特爾正式公布自家 14 納米技術(shù)時(shí)，才真正確定了不可動(dòng)搖的領(lǐng)先地位。

下圖為英特爾官方提供的邏輯面積比例圖：

從這個(gè)英特爾的圖來看，英特爾承認(rèn)自家的 32 納米不如 28 納米工藝，主要是指柵極與柵極之間的間距前者不如后者。再到 22 納米與 20 納米工藝的對(duì)比，結(jié)果亦是如此。不過，確實(shí)只有在 14 納米和 16 納米工藝節(jié)點(diǎn)，才超過了其余競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，確立起領(lǐng)先的地位。

所以，三星和臺(tái)積電所說的都是事實(shí)，這兩大越來越出色的芯片代工廠在 20 納米制程時(shí)代確是領(lǐng)先于英特爾 22 納米。但不可否認(rèn)英特爾新一代 14 納米更為出色，至少晶體管密度的優(yōu)勢(shì)上超過了其他對(duì)手的 14/16 納米工藝節(jié)點(diǎn)。

工藝是一回事，那晶體管的實(shí)際性能呢？

多年以來，英特爾從未放棄過任何吹噓自己的芯片技術(shù)，只是在臺(tái)積電和三星上位之后收斂了很多。而且，難能可貴的是英特爾竟然沒有過度宣傳自家的第二代 FinFET 工藝，畢竟其余競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在其 14 納米問世時(shí)，均處于第一代 FinFET 工藝水平。簡(jiǎn)單的說，英特爾 14 納米正式問世之初，從晶體管性能的角度來看，整整領(lǐng)先了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代。

在很多對(duì)芯片深度評(píng)測(cè)的機(jī)構(gòu)報(bào)告中，尤其是權(quán)威站點(diǎn) ChipWorks，我們可以看到英特爾 14 納米晶體管所有性能指標(biāo)均領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。更重要的是，ChipWorks 通過先進(jìn)的透射電子顯微鏡觀察分析發(fā)現(xiàn)，英特爾 14 納米芯片的晶體管鰭片間距做得最為緊密，堪稱這個(gè)星球上迄今最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，全面領(lǐng)先代工廠的 14/16 納米。

英特爾 22 納米和 14 納米晶體管鰭片細(xì)節(jié)對(duì)比：

所以，質(zhì)疑英特爾在晶體管性能優(yōu)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)中落后的人都該閉嘴了。為什么，將下面三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細(xì)節(jié)與上面英特爾的對(duì)比就能明白。在 22 納米時(shí)代，英特爾的晶體管鰭片的確不夠出色，但 14 納米鰭片看起來已近乎“垂直”，使得了鰭片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動(dòng)電流和性能。

而三星的 14 納米 FinFET 工藝晶體管細(xì)節(jié)，請(qǐng)注意看，很顯然更像是 2011 年英特爾 22 納米工藝時(shí)代的水平，宣稱超越難免有點(diǎn)大嘴了，畢竟無論如何還是基于第一代 FinFET 工藝打造。

三星 14 納米 FinFET 晶體管細(xì)節(jié)圖：

當(dāng)然了，性能突飛猛進(jìn)不太現(xiàn)實(shí)，而且英特爾考慮到了移動(dòng)領(lǐng)域和其他應(yīng)用的競(jìng)爭(zhēng)，畢竟在這些領(lǐng)域不需要非常高的 CPU 頻率。但說到頻率，英特爾的 14nm 駕馭大于 4GHz 不會(huì)存在任何技術(shù)障礙，而代工廠的 14/ 16 納米當(dāng)前仍然相當(dāng)困難。

代工廠一直在進(jìn)步

不可否認(rèn)，在芯片制造業(yè)，各大代工廠尤其是三星和臺(tái)積電的進(jìn)步非常之大，并且正在加快步伐縮減與英特爾的技術(shù)差距，盡管英特爾長(zhǎng)期處于領(lǐng)先，但當(dāng)前十分需要將差距拉開更大。

我們不清楚英特爾是否是缺乏競(jìng)爭(zhēng)壓力，但在移動(dòng)領(lǐng)域，三星 14 納米 FinFET、臺(tái)積電 16 納米 FinFET 兩大工藝的競(jìng)爭(zhēng)可謂空前慘烈，從合伙代工蘋果 A9，到爭(zhēng)搶各路訂單，殺得好不熱鬧。更重要的是，兩大代工廠已經(jīng)做好了部署全新工藝制程的準(zhǔn)備，不止是第二版，還包括第三版。

例如說，臺(tái)積電第一代是標(biāo)準(zhǔn)的 16 納米 FinFET 工藝，之后推出的第二代 FinFET Plus（FF+） 增強(qiáng)版已經(jīng)部署。至于下一代 FinFET Compact（FFC）也已經(jīng)完成了設(shè)計(jì)研發(fā)，并確定本季度就可以投入量產(chǎn)，提前了大半年。

三星方面，其第一代 14 納米是 Low Power Eatly（LPE），現(xiàn)在第二代 Low Power Plus（LPP）已經(jīng)開始量產(chǎn)，重點(diǎn)產(chǎn)品為 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星高管聲稱，衍生于第二代的下一版 14 納米也將很快推出。

更長(zhǎng)遠(yuǎn)的計(jì)劃上，無論是三星和臺(tái)積電都已經(jīng)開始朝著 10 納米的目標(biāo)邁進(jìn)。臺(tái)積電表示，10 納米今年即可試產(chǎn)，正式批量生產(chǎn)等到 2016 年年底，或者是 2017 年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的線路圖，堅(jiān)稱 2016 年年底 10 納米就可量產(chǎn)，2017 年一定會(huì)出現(xiàn)在手機(jī)和平板電腦上。

反觀英特爾，不僅桌面處理器“Tick-Tock”策略在兩年前已經(jīng)被打破，而且第一款基于 10 納米工藝的產(chǎn)品按計(jì)劃要等至 2017 年下半年才能推出。除非英特爾改革研發(fā)模式，否則今年年底將喪失工藝領(lǐng)先的地位。作為半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的巨頭，英特爾長(zhǎng)期自信滿滿，但在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境中，還真的得加把勁了。