近年來,長江存儲等一批企業(yè)開始攻關存儲芯片,意圖擺脫三星、SK海力士、東芝、鎂光、閃迪等廠商的掣肘。然而,三星的兩個舉措很有可能是在為狙擊中國存儲芯片做準備。
一是三星刻意控制產(chǎn)能,防止存儲芯片價格下滑。由于三星可以控制產(chǎn)量,直接導致美國一些半導體設備廠商的設備出貨量在短期內(nèi)下滑了20%左右。三星之所以要這樣做,極有可能是想在國產(chǎn)存儲芯片上市前,再大賺一筆錢,存儲充足的彈藥,為將來和國產(chǎn)存儲芯片打價格戰(zhàn)做準備。
另一個消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量產(chǎn)。新一代存儲芯片在存儲與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸率高達1.4Gbps,比上代64層堆疊提升了40%。電壓從1.8V降至1.2V,性能功耗比有所提高。
此外,韓國媒體報道,三星計劃擴大韓國平澤工廠。如果國產(chǎn)存儲芯片上市之時,三星開始暴產(chǎn)能,而且是最新的第五代V-NAND,國產(chǎn)存儲芯片將面臨技術和成本雙重競爭,將會處于非常不利的局面。
如果三星、SK海力士、鎂光、東芝等國外廠商聯(lián)手絞殺,國產(chǎn)存儲芯片將會處于非常尷尬的境地,可能會遭遇比京東方早年還要嚴重的虧損。中國存儲芯片逆襲之路,恐怕不會很順利,沒準也要經(jīng)歷10年內(nèi)連年虧損這樣一個過程。