近年來，長江存儲等一批企業(yè)開始攻關存儲芯片，意圖擺脫三星、SK海力士、東芝、鎂光、閃迪等廠商的掣肘。然而，三星的兩個舉措很有可能是在為狙擊中國存儲芯片做準備。

一是三星刻意控制產(chǎn)能，防止存儲芯片價格下滑。由于三星可以控制產(chǎn)量，直接導致美國一些半導體設備廠商的設備出貨量在短期內(nèi)下滑了20%左右。三星之所以要這樣做，極有可能是想在國產(chǎn)存儲芯片上市前，再大賺一筆錢，存儲充足的彈藥，為將來和國產(chǎn)存儲芯片打價格戰(zhàn)做準備。

另一個消息是三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量產(chǎn)。新一代存儲芯片在存儲與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸率高達1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40%。電壓從1.8V降至1.2V，性能功耗比有所提高。

此外，韓國媒體報道，三星計劃擴大韓國平澤工廠。如果國產(chǎn)存儲芯片上市之時，三星開始暴產(chǎn)能，而且是最新的第五代V-NAND，國產(chǎn)存儲芯片將面臨技術和成本雙重競爭，將會處于非常不利的局面。

如果三星、SK海力士、鎂光、東芝等國外廠商聯(lián)手絞殺，國產(chǎn)存儲芯片將會處于非常尷尬的境地，可能會遭遇比京東方早年還要嚴重的虧損。中國存儲芯片逆襲之路，恐怕不會很順利，沒準也要經(jīng)歷10年內(nèi)連年虧損這樣一個過程。