如今，閃存存儲(chǔ)逐漸占據(jù)主導(dǎo)地位。但作為一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其可用性至少會(huì)受到成本和生產(chǎn)等方面的限制，而在可預(yù)見的未來，存儲(chǔ)行業(yè)很可能會(huì)出現(xiàn)可用閃存短缺的情況。問題是需要花費(fèi)數(shù)十億美元和幾年的時(shí)間才能建成一個(gè)能夠生產(chǎn)NAND閃存的晶圓廠。此外，人們面臨更大的問題是所創(chuàng)造的數(shù)據(jù)比以往任何時(shí)候都要多。雖然基于磁帶的技術(shù)將會(huì)發(fā)揮重要作用，但硬盤驅(qū)動(dòng)器將成為未來十年全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要場所。

在一個(gè)完美的世界里，所有的數(shù)據(jù)都將存儲(chǔ)在閃存設(shè)備中，但是其短缺使得這種情況幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。實(shí)際上，將所有數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在閃存中的絕大多數(shù)用例并不是非常必要的。這種閃存需求的缺乏是因?yàn)榇蟛糠謹(jǐn)?shù)據(jù)被捕獲或創(chuàng)建，然后進(jìn)行修改，但很少能夠再次訪問。在以往，人們會(huì)說大部數(shù)據(jù)可能永遠(yuǎn)不會(huì)再訪問。但是現(xiàn)在，由于搜索和相對(duì)快速的檢索，用戶比以往更頻繁地訪問更多的舊數(shù)據(jù)。但是，關(guān)鍵是數(shù)據(jù)必須是可搜索的，并且必須在幾秒鐘內(nèi)響應(yīng)，而只有高容量硬盤驅(qū)動(dòng)器才能滿足這種要求。

硬盤技術(shù)的進(jìn)展

關(guān)鍵是硬盤制造商要繼續(xù)推進(jìn)以容量為主的技術(shù)。目前的技術(shù)狀態(tài)是氦氣填充式硬盤驅(qū)動(dòng)器和疊瓦式磁記錄(SMR）驅(qū)動(dòng)器。氦氣硬盤驅(qū)動(dòng)器現(xiàn)在容量最高可達(dá)12TB。SMR硬盤驅(qū)動(dòng)器可提供8TB容量，新推出的14TB硬盤驅(qū)動(dòng)器現(xiàn)在已被采樣給關(guān)鍵客戶應(yīng)用。

鑒于存儲(chǔ)需求的增長，人們將需要更多的超過8-14TB的硬盤。像希捷這樣的存儲(chǔ)廠商似乎已經(jīng)接近了這種需求。2018年底或2019年初，將提供熱輔助磁記錄（HAMR）驅(qū)動(dòng)技術(shù)。HAMR技術(shù)使用一種小型激光器來加熱正在寫入的磁盤部分。熱量降低了磁性材料的矯頑力，其結(jié)果是獲得了更高的面密度。簡而言之，這項(xiàng)技術(shù)可以提供更高容量的硬盤。

希捷公司預(yù)計(jì)，其首批HAMR硬盤的容量將達(dá)到16TB，隨著時(shí)間的推移，他們應(yīng)該能夠在2030年之前再次提高技術(shù)水平，以提供約50TB的硬盤容量。

下一步是加熱點(diǎn)磁記錄（HDMR），結(jié)合HAMR技術(shù)和位元圖案介質(zhì)（BPM)。希捷公司希望這項(xiàng)技術(shù)最終能夠制造出容量為100TB的硬盤。

機(jī)械硬盤仍有用武之地。即使閃存大量生產(chǎn)可用，仍然無法降到與機(jī)械硬盤同樣的價(jià)格，因?yàn)闄C(jī)械硬盤的性能和容量也會(huì)隨著技術(shù)的進(jìn)步而不斷提高。世界將像以往一樣是多層次的。而使多層次世界工作的一個(gè)關(guān)鍵組成部分是自動(dòng)化的軟件。與早期的大型機(jī)和開放系統(tǒng)時(shí)代相比，如今的數(shù)據(jù)管理軟件已經(jīng)取得了顯著的進(jìn)步，并且分析和機(jī)器學(xué)習(xí)的功能更加精確，這意味著它可以使機(jī)械硬盤和閃存之間的集成將變得越來越無縫。