1.1 數(shù)據(jù)總量爆發(fā)增長，推動存儲業(yè)發(fā)展

萬物互聯(lián)等新技術(shù)的涌現(xiàn)推動數(shù)據(jù)量的急速膨脹，全球數(shù)據(jù)總量由2005年的0.13ZB增長至2015年的8.59ZB，十年間增長了66倍。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC預(yù)計，到2020年，全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)到40ZB(相當(dāng)于4萬億GB)，這一數(shù)據(jù)量是2011年的22倍。

而存儲器則可以說是大數(shù)據(jù)時代的基石，其市場規(guī)模也隨著數(shù)據(jù)總量的增加而不斷加大。雖然15年和16年上半年P(guān)C市場低迷導(dǎo)致存儲器市場遭遇困境，但從2016年下半年開始存儲器價格開始回升，而且一直持續(xù)到現(xiàn)在，價格上漲帶動存儲器市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，IC Insights預(yù)計，從現(xiàn)在到2021年，存儲器價格平均每年都將上漲1.8%，2017全球存儲器市場規(guī)模將達(dá)到853億美元，同比增長10%，此后幾年存儲器市場都將保持健康的增長態(tài)勢，于2020年達(dá)到1000億美元的規(guī)模，2021年可能接近1100億美元左右，年均增速7.3%，比集成電路整體市場年復(fù)合增長率高2.4個百分點。

存儲器根據(jù)存儲介質(zhì)的不同，可分為光學(xué)存儲、半導(dǎo)體存儲和磁性存儲，其中，半導(dǎo)體存儲器已成存儲器市場主流。根據(jù)數(shù)據(jù)易失性，我們將半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲(Volatile Memory)和非易失性存儲(Non-Volatile Memory)。易失性存儲器斷電后，數(shù)據(jù)會隨之丟失，最為常見的用途就是PC的內(nèi)存條。非易失性存儲器的數(shù)據(jù)則不會因為斷電而丟失，包含ROM、FLASH等。

在目前市場上，DRAM、FLASH是存儲器產(chǎn)業(yè)的主要構(gòu)成部分。就目前PC 內(nèi)存市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延時、更低成本的DRAM 仍是不二之選。而在通信領(lǐng)域、消費領(lǐng)域和計算機(jī)領(lǐng)域，F(xiàn)LASH具有壽命長、體積小、功耗低、抗振性強，非易失性等優(yōu)點，逐漸成為目前最有潛力，發(fā)展最快的存儲器芯片產(chǎn)品。FLASH又可進(jìn)一步分為NOR FLASH以及NAND FLASH。NOR FLASH主要用來存儲代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，是手機(jī)、PC、DVD、TV、USB Key、機(jī)頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存應(yīng)用領(lǐng)域的首選。NAND FLASH可以實現(xiàn)大容量存儲、高寫入和擦除速度、相當(dāng)擦寫次數(shù)，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲，例如智能手機(jī)、平板電腦、U 盤、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。

過去30余年中，全球存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次區(qū)域性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移：20世紀(jì)80年代，由于日本經(jīng)濟(jì)二戰(zhàn)后迅速崛起，電子制造業(yè)從歐美向日本轉(zhuǎn)移，存儲器產(chǎn)業(yè)重心也從歐美國家轉(zhuǎn)移到日本，日本存儲器企業(yè)一度壟斷90%以上份額。90年代，韓國抓住了6英寸晶圓廠過渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢，一舉取代日本廠商，存儲器產(chǎn)業(yè)重心從日本轉(zhuǎn)移到韓國。

1.2 存儲器產(chǎn)業(yè)模式

存儲器產(chǎn)業(yè)有兩種主要經(jīng)營模式，IDM和Fabless。IDM模式是指企業(yè)務(wù)覆蓋芯片的設(shè)計、制造封裝和測試所有環(huán)節(jié)，這種模式對企業(yè)的研發(fā)力量、生產(chǎn)管理能力、資金實力和業(yè)務(wù)規(guī)模都有極高的要求。Fabless模式是指無晶圓生產(chǎn)線模式，即企業(yè)只進(jìn)行設(shè)計和銷售，將制造、封裝和測試等生產(chǎn)環(huán)節(jié)分別外包給專業(yè)的晶圓制造企業(yè)、封裝和測試企業(yè)來完成。

IDM企業(yè)主要是國際大廠所采取的主要模式，技術(shù)先進(jìn)、資金雄厚的三星、SK海力士、美光等均采用此種模式，占據(jù)了存儲器市場的大半江山。IDM模式需要大量的投資和研發(fā)經(jīng)驗，沒有足夠資金和經(jīng)驗的公司選擇進(jìn)入存儲器產(chǎn)業(yè)的某一細(xì)分階段，該模式垂直分工，具有較強的靈活性，設(shè)計環(huán)節(jié)代表廠商有晶豪科等，制造環(huán)節(jié)代表廠商有臺積電、中芯國際等，封測環(huán)節(jié)代表廠商有日月光等。

1.3 存儲器行業(yè)周期性明顯

存儲器行業(yè)屬于周期性行業(yè)，從歷史表現(xiàn)上看，存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中。存儲器行業(yè)的波動劇烈，其產(chǎn)業(yè)周期強于電子市場及電子元器件市場整體的周期性，暴漲暴跌的情況可謂常態(tài)。以存儲器華強北指數(shù)為參照，2013年僅半年期間存儲器華強北指數(shù)便上漲21.28%，隨后在不到三個月時間內(nèi)下跌14.18%，14年又迎來一輪猛漲，一年時間內(nèi)由82.96上漲至104.22，漲幅達(dá)25.63%。相比于整個電子元器件整體市場，存儲器的波動顯得異常明顯，特別是在2013年以后。

具體到存儲器產(chǎn)品，DRAM和FLASH的主流產(chǎn)品同樣呈現(xiàn)出明顯的周期特征，且漲跌幅有時甚至能達(dá)到70%-100%之多。存儲器行業(yè)周期特征明顯主要源于供給量和需求量的增減交替。需求方面，新的應(yīng)用領(lǐng)域的出現(xiàn)會刺激存儲器的市場需求，從而推動存儲器產(chǎn)品價格上揚，例如2012至2013年SSD應(yīng)用興起使得NAND需求旺盛，一年內(nèi)漲幅達(dá)70%。而隨著新產(chǎn)品市場容量逐漸趨于飽和，存儲器市場便開始降溫，迎來下跌周期。

供給方面，存儲器產(chǎn)品利潤可觀吸引各廠商加入混戰(zhàn)，其間大肆擴(kuò)張產(chǎn)能、增加出貨量、壓低價格的現(xiàn)象屢見不鮮，最后導(dǎo)致存儲器價格大幅下跌。接著，價格下跌又驅(qū)使廠商尋找新的利潤點，縮減原有存儲器的產(chǎn)能，供不應(yīng)求的狀況便會出現(xiàn)，存儲器價格開始反彈。存儲器行業(yè)集中度較高更加深了供給端對周期的作用，某一時期的產(chǎn)能產(chǎn)出往往是幾家巨頭相互博弈的結(jié)果。DRAM 行業(yè)被三星、SK海力士、美光三分天下，NAND FLASH市場上三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光五家企業(yè)占據(jù)了97%的市場份額，NOR FLASH市場也由賽普拉斯、旺宏、美光、華邦電、兆易創(chuàng)新五家企業(yè)壟斷。如此之高的行業(yè)集中度使得任何一家廠商的擴(kuò)產(chǎn)或縮產(chǎn)行為都可能改變市場格局，從而引發(fā)存儲器行業(yè)的周期，例如13年SK海力士無錫廠區(qū)遭遇火災(zāi)，內(nèi)存顆粒一天之內(nèi)漲價三次，再如17年初美光計劃退出NOR FLASH市場的消息使得NOR FLASH的漲勢愈趨明確。

再者，存儲器屬于標(biāo)準(zhǔn)化程度較高的產(chǎn)品，同質(zhì)化嚴(yán)重，廠商很難靠產(chǎn)品差異化來形成有效的客戶黏性，廠商總存在擴(kuò)大產(chǎn)能的沖動，以量取勝，利用規(guī)模優(yōu)勢來降低成本，擠占市場。

歷經(jīng)幾年低迷的下行周期，存儲器行業(yè)現(xiàn)已迎來反轉(zhuǎn)。國際大廠大舉進(jìn)軍3D NAND，將原有產(chǎn)能劃撥至3D NAND的生產(chǎn)，導(dǎo)致2D NAND和DRAM供應(yīng)不足，而目前3D NAND產(chǎn)能尚未釋放，NOR FLASH也因為美光退出而產(chǎn)能吃緊，整個存儲器市場漲聲四起。近半年來，三星、SK海力士、美光等龍頭廠商營收屢創(chuàng)新高，三星電子2017年一季度運營利潤88億美元，較上年同期增長48%，創(chuàng)四年來最高峰。美光科技2017財年Q2顯示當(dāng)季營收46.5億美元，環(huán)比增長17%，同比暴漲了58%，毛利率也回升到36.7%，凈利潤達(dá)到了8.94億美元。SK海力士2016四季度營收53850億韓元，折合美元47億，凈利潤16290韓元，折合美元14億，較上年同期增長172%。